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1
Analise in-situ de rheed de semicondutores iii-v crescidos por mbe
Analise in-situ de rheed de semicondutores iii-v crescidos por mbe
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Analise in-situ de rheed de semicondutores iii-v crescidos por mbe

A C Notari N Lapasse; Máximo Siu Li; Pierre Basmaji; Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada (13. 1990 São Paulo)

Programa e Resumos São Paulo : Sbf, 1990

São Paulo Sbf 1990

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD001254 ) e outros locais(Acessar)

2
Magnetotransport properties of epitaxial 'SN''AL IND.X''GA IND.1-X''AS' grown on 'SI' by metalorganic vapor phase epitaxy (movpe)
Magnetotransport properties of epitaxial 'SN''AL IND.X''GA IND.1-X''AS' grown on 'SI' by metalorganic vapor phase epitaxy (movpe)
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Magnetotransport properties of epitaxial 'SN''AL IND.X''GA IND.1-X''AS' grown on 'SI' by metalorganic vapor phase epitaxy (movpe)

Pierre Basmaji Máximo Siu Li; G L Allan; D Lavielle; J C Portal; Brazilian School of Semiconductor Physics (4. 1989 Belo Horizonte)

Proceedings Singapore : World Scientific, 1990

Singapore World Scientific 1990

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD000978 ) e outros locais(Acessar)

3
Mbe growth and characterization of periodically 'DELTA'-doped 'GA''AS'
Mbe growth and characterization of periodically 'DELTA'-doped 'GA''AS'
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Mbe growth and characterization of periodically 'DELTA'-doped 'GA''AS'

Pierre Basmaji Máximo Siu Li; Oscar Hipólito; E Ranz; J C Portal; March Meeting (1990 Anaheim)

v.35, n.3 , p.825, mar. 1990 Bulletin of the American Physical Society

1990

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD000096 ) e outros locais(Acessar)

4
Photoreflectance spectra of periodically 'DELTA'-doped 'SI' 'GA''AS'
Photoreflectance spectra of periodically 'DELTA'-doped 'SI' 'GA''AS'
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Photoreflectance spectra of periodically 'DELTA'-doped 'SI' 'GA''AS'

Pierre Basmaji A C Notari; Máximo Siu Li; Oscar Hipólito; A A Bernussi; P Motisuke; March Meeting (1990 Anaheim)

v.35, n.3 , p.346, mar. 1990 Bulletin of the American Physical Society

1990

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD000243 ) e outros locais(Acessar)

5
Implementacao e estudo de um sistema de capacitancia-voltagem (c-v) para caracterizacao de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (mbe)
Implementacao e estudo de um sistema de capacitancia-voltagem (c-v) para caracterizacao de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (mbe)
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Implementacao e estudo de um sistema de capacitancia-voltagem (c-v) para caracterizacao de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (mbe)

B J Schrappe A C Notari; Máximo Siu Li; Pierre Basmaji; Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada (13. 1990 Caxambu)

Programa e Resumos São Paulo : Sbf, 1990

São Paulo Sbf 1990

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD001253 ) e outros locais(Acessar)

6
Photoreflectance analysis of periodically delta-doped GaAs
Photoreflectance analysis of periodically delta-doped GaAs
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Photoreflectance analysis of periodically delta-doped GaAs

Ayrton A. Bernussi P Motisuke; Pierre Basmaji; A. C Notari; Máximo Siu Li; Oscar Hipólito; Symposium on Advances in Semiconductors and Superconductors : Physics Toward Device Application (1990 San Diego)

Abstracts Bellingham : International Society for Optical Engineering - SPIE, 1990

Bellingham International Society for Optical Engineering - SPIE 1990

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD000094 ) e outros locais(Acessar)

7
Photoreflectance characterization of 'gama'-doped p-GaAs
Photoreflectance characterization of 'gama'-doped p-GaAs
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Photoreflectance characterization of 'gama'-doped p-GaAs

Ayrton A. Bernussi F Iikawa; Paulo Motisuke; Pierre Basmaji; Máximo Siu Li; Oscar Hipólito; International Conference of Modulation Spectroscopy (1990 San Diego)

Proceedings of SPIE Bellingham : International Society for Optical Engineering - SPIE v. 1286, p. 348-358, March 1990

Bellingham International Society for Optical Engineering - SPIE 1990

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD000092 ) e outros locais(Acessar)

8
Filmes de 'GA''AS' dopados com silicio , crescidos por mbe caracterizacao e morfologia da superficie
Filmes de 'GA''AS' dopados com silicio , crescidos por mbe caracterizacao e morfologia da superficie
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Filmes de 'GA''AS' dopados com silicio , crescidos por mbe caracterizacao e morfologia da superficie

Pierre Basmaji Máximo Siu Li; A M Ceschin; J Migliato; E Minami; E Manzoli; B Scharappe; Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada (12. 1989 Caxambu)

Programa e Resumos São Paulo : Sociedade Brasileira de Fisica, 1989

São Paulo Sociedade Brasileira de Fisica 1989

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD001037 ) e outros locais(Acessar)

9
Preparation and characterization of 'IN IND.X''GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS' samples grown by molecular beam epitaxy
Preparation and characterization of 'IN IND.X''GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS' samples grown by molecular beam epitaxy
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Preparation and characterization of 'IN IND.X''GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS' samples grown by molecular beam epitaxy

W Lima A C Notari; Pierre Basmaji; Máximo Siu Li; Oscar Hipólito; P Motisuke; Interdisciplinary Laser Science Conference (7. 1991 Monterey)

v.36, n.7 , p.2000, jul./aug. 1991 Bulletin of the American Physical Society

1991

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD000453 ) e outros locais(Acessar)

10
Propriedades opticas e eletricas de 'DELTA' doped em 'GA''AS' crescido por epitaxia por feixes moleculares
Propriedades opticas e eletricas de 'DELTA' doped em 'GA''AS' crescido por epitaxia por feixes moleculares
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Propriedades opticas e eletricas de 'DELTA' doped em 'GA''AS' crescido por epitaxia por feixes moleculares

A C Notari A A Bernussi; B Schrappe; Pierre Basmaji; Máximo Siu Li; Oscar Hipólito; Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada (14. 1991 Caxambu)

Programa e Resumos São Paulo : Sociedade Brasileira de Fisica, 1991

Sao Paulo Sociedade Brasileira de Fisica 1991

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD001900 ) e outros locais(Acessar)

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Deste Autor:

  1. Basmaji, P
  2. Siu Li, M
  3. Hipólito, O
  4. Motisuke, P
  5. Bernussi, A

Neste Assunto:

  1. Matéria Condensada
  2. Física
  3. Semicondutores
  4. Fotônica
  5. Matéria Condensada (Propriedades Elétricas)

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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