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Refinado por: Nome da Publicação: Semiconductor Science and Technology remover assunto: Transistores remover
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1
Analysis of current mirror circuits designed with line tunnel FET devices at different temperatures
Analysis of current mirror circuits designed with line tunnel FET devices at different temperatures
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Analysis of current mirror circuits designed with line tunnel FET devices at different temperatures

Márcio Dalla Valle Martino Cor Claeys; Rita Rooyackers; Eddy Simoen; Paula Ghedini Der Agopian; A Vandooren; João Antonio Martino 1959-

Semiconductor Science and Technology v. 32, n.5, p. 055015, 2017

2017

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Hybrid low-dropout voltage regulator designed with TFET-MOSFET nanowire technologies
Hybrid low-dropout voltage regulator designed with TFET-MOSFET nanowire technologies
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Hybrid low-dropout voltage regulator designed with TFET-MOSFET nanowire technologies

Rodrigo do Nascimento Toledo João Antonio Martino 1959-; Paula Ghedini Der Agopian

Semiconductor Science and Technology Bristol v. 38, n. 9, p. 1-12, 2023. Article nº 095013

Bristol 2023

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MISHEMT intrinsic voltage gain under multiple channel output characteristics
MISHEMT intrinsic voltage gain under multiple channel output characteristics
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MISHEMT intrinsic voltage gain under multiple channel output characteristics

Bruno Godoy Canales Welder Fernandes Perina; João Antonio Martino 1959-; Eddy Simoen; Uthayasankaran Peralagu; Nadine Collaert; Paula Ghedini Der Agopian

Semiconductor Science and Technology Bristol v. 38, n. 11, p. 1-6, 2023. Article nº 115004

Bristol 2023

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Deste Autor:

  1. Martino, J
  2. Agopian, P
  3. Simoen, E
  4. Perina, W
  5. Claeys, C

Neste Assunto:

  1. Semicondutores
  2. Circuitos Analógicos

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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