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Computed tomography and magnetic resonance imaging of the whole body
Computed tomography and magnetic resonance imaging of the whole body
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Computed tomography and magnetic resonance imaging of the whole body

John R Haaga Charles F Lanzieri; David J Sartoris

St Louis Mosby 1994

Localização: FMRP - Fac. Medicina de Ribeirão Preto    (616-073.756.8 H111c3 v.2 )(Acessar)

2
CT and MR imaging of the whole body
CT and MR imaging of the whole body
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Livro 		Adicionar ao Meu Espaço

CT and MR imaging of the whole body

John R Haaga (John Robert), 1945-; Charles F Lanzieri; Robert C Gilkeson

St. Louis, Mo. : Mosby c2003

Localização: FMVZ - Fac. Med. Vet. e Zootecnia    (RC78.7.T6 H111c 2003 v.2 )(Acessar)

3
Localized Damage in AlGaN/GaN HEMTs Induced by Reverse-Bias Testing
Localized Damage in AlGaN/GaN HEMTs Induced by Reverse-Bias Testing
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Localized Damage in AlGaN/GaN HEMTs Induced by Reverse-Bias Testing

Zanoni, E. ; Danesin, F. ; Meneghini, M. ; Cetronio, A. ; Lanzieri, C. ; Peroni, M. ; Meneghesso, G.

IEEE electron device letters, 2009-05, Vol.30 (5), p.427-429 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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4
Radiation tolerance of epitaxial silicon carbide detectors for electrons, protons and gamma-rays
Radiation tolerance of epitaxial silicon carbide detectors for electrons, protons and gamma-rays
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Radiation tolerance of epitaxial silicon carbide detectors for electrons, protons and gamma-rays

Nava, F. ; Vittone, E. ; Vanni, P. ; Verzellesi, G. ; Fuochi, P.G. ; Lanzieri, C. ; Glaser, M.

Nuclear instruments & methods in physics research. Section A, Accelerators, spectrometers, detectors and associated equipment, 2003-06, Vol.505 (3), p.645-655 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

Texto completo disponível

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5
Electro-thermal characterization of AlGaN/GaN HEMT on Silicon Microstrip Technology
Electro-thermal characterization of AlGaN/GaN HEMT on Silicon Microstrip Technology
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Electro-thermal characterization of AlGaN/GaN HEMT on Silicon Microstrip Technology

Riccio, M. ; Pantellini, A. ; Irace, A. ; Breglio, G. ; Nanni, A. ; Lanzieri, C.

Microelectronics and reliability, 2011-09, Vol.51 (9-11), p.1725-1729 [Periódico revisado por pares]

Kidlington: Elsevier Ltd

Texto completo disponível

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6
Minimum ionizing and alpha particles detectors based on epitaxial semiconductor silicon carbide
Minimum ionizing and alpha particles detectors based on epitaxial semiconductor silicon carbide
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Minimum ionizing and alpha particles detectors based on epitaxial semiconductor silicon carbide

Nava, F. ; Vanni, P. ; Bruzzi, M. ; Lagomarsino, S. ; Sciortino, S. ; Wagner, G. ; Lanzieri, C.

IEEE transactions on nuclear science, 2004-02, Vol.51 (1), p.238-244 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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7
Influence of lateral and in-depth metal segregation on the patterning of ohmic contacts for GaN-based devices
Influence of lateral and in-depth metal segregation on the patterning of ohmic contacts for GaN-based devices
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Influence of lateral and in-depth metal segregation on the patterning of ohmic contacts for GaN-based devices

Redondo-Cubero, A ; Vázquez, L ; Alves, L C ; Corregidor, V ; Romero, M F ; Pantellini, A ; Lanzieri, C ; Muñoz, E

Journal of physics. D, Applied physics, 2014-05, Vol.47 (18), p.1-10 [Periódico revisado por pares]

IOP Publishing

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8
Impact of field-plate geometry on the reliability of GaN-on-SiC HEMTs
Impact of field-plate geometry on the reliability of GaN-on-SiC HEMTs
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Impact of field-plate geometry on the reliability of GaN-on-SiC HEMTs

Chini, A. ; Soci, F. ; Fantini, F. ; Nanni, A. ; Pantellini, A. ; Lanzieri, C. ; Meneghesso, G. ; Zanoni, E.

Microelectronics and reliability, 2013-09, Vol.53 (9-11), p.1461-1465 [Periódico revisado por pares]

Kidlington: Elsevier Ltd

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9
Effect of heavy proton and neutron irradiations on epitaxial 4H-SiC Schottky diodes
Effect of heavy proton and neutron irradiations on epitaxial 4H-SiC Schottky diodes
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Effect of heavy proton and neutron irradiations on epitaxial 4H-SiC Schottky diodes

Sciortino, S. ; Hartjes, F. ; Lagomarsino, S. ; Nava, F. ; Brianzi, M. ; Cindro, V. ; Lanzieri, C. ; Moll, M. ; Vanni, P.

Nuclear instruments & methods in physics research. Section A, Accelerators, spectrometers, detectors and associated equipment, 2005-10, Vol.552 (1), p.138-145 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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10
Investigation of Ni/4H-SiC diodes as radiation detectors with low doped n-type 4H-SiC epilayers
Investigation of Ni/4H-SiC diodes as radiation detectors with low doped n-type 4H-SiC epilayers
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Investigation of Ni/4H-SiC diodes as radiation detectors with low doped n-type 4H-SiC epilayers

Nava, F. ; Wagner, G. ; Lanzieri, C. ; Vanni, P. ; Vittone, E.

Nuclear instruments & methods in physics research. Section A, Accelerators, spectrometers, detectors and associated equipment, 2003-09, Vol.510 (3), p.273-280 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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