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11	Material Type: Artigo		Thermal management strategies for gallium oxide vertical trench-fin MOSFETs Montgomery, Robert H. ; Zhang, Yuewei ; Yuan, Chao ; Kim, Samuel ; Shi, Jingjing ; Itoh, Takeki ; Mauze, Akhil ; Kumar, Satish ; Speck, James ; Graham, Samuel Journal of applied physics, 2021-02, Vol.129 (8) [Periódico revisado por pares] Melville: American Institute of Physics Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
12	Material Type: Artigo		Role of self-trapped holes in the photoconductive gain of β-gallium oxide Schottky diodes Armstrong, Andrew M. ; Crawford, Mary H. ; Jayawardena, Asanka ; Ahyi, Ayayi ; Dhar, Sarit Journal of applied physics, 2016-03, Vol.119 (10) [Periódico revisado por pares] Melville: American Institute of Physics Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
13	Material Type: Artigo		Self-trapped hole and impurity-related broad luminescence in β-Ga2O3 Frodason, Y. K. ; Johansen, K. M. ; Vines, L. ; Varley, J. B. Journal of applied physics, 2020-02, Vol.127 (7) [Periódico revisado por pares] Melville: American Institute of Physics Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
14	Material Type: Artigo		Extremely low thermal conductivity of β−Ga2O3 with porous structure Wu, H. J. ; Ning, S. T. ; Qi, N. ; Ren, F. ; Chen, Z. Q. ; Su, X. L. ; Tang, X. F. Journal of applied physics, 2021-11, Vol.130 (19) [Periódico revisado por pares] Melville: American Institute of Physics Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
15	Material Type: Artigo		Unusual elasticity of monoclinic β − Ga 2 O 3 Adachi, K. ; Ogi, H. ; Takeuchi, N. ; Nakamura, N. ; Watanabe, H. ; Ito, T. ; Ozaki, Y. Journal of applied physics, 2018-08, Vol.124 (8) [Periódico revisado por pares] Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
16	Material Type: Artigo		Realization of highly rectifying Schottky barrier diodes and pn heterojunctions on κ-Ga2O3 by overcoming the conductivity anisotropy Kneiß, M. ; Splith, D. ; Schlupp, P. ; Hassa, A. ; von Wenckstern, H. ; Lorenz, M. ; Grundmann, M. Journal of applied physics, 2021-08, Vol.130 (8) [Periódico revisado por pares] Melville: American Institute of Physics Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
17	Material Type: Artigo		The role of chemical potential in compensation control in Si:AlGaN Washiyama, Shun ; Reddy, Pramod ; Sarkar, Biplab ; Breckenridge, Mathew H. ; Guo, Qiang ; Bagheri, Pegah ; Klump, Andrew ; Kirste, Ronny ; Tweedie, James ; Mita, Seiji ; Sitar, Zlatko ; Collazo, Ramón Journal of applied physics, 2020-03, Vol.127 (10) [Periódico revisado por pares] Melville: American Institute of Physics Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
18	Material Type: Artigo		Raman study on the effects of sintering temperature on the J c ( H ) performance of Mg B 2 superconductor Li, W. X. ; Chen, R. H. ; Li, Y. ; Zhu, M. Y. ; Jin, H. M. ; Zeng, R. ; Dou, S. X. ; Lu, B. Journal of applied physics, 2008-01, Vol.103 (1), p.013511-013511-5 [Periódico revisado por pares] American Institute of Physics Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
19	Material Type: Artigo		Gallium vacancy formation in oxygen annealed β-Ga2O3 Jesenovec, Jani ; Weber, Marc H. ; Pansegrau, Christopher ; McCluskey, Matthew D. ; Lynn, Kelvin G. ; McCloy, John S. Journal of applied physics, 2021-06, Vol.129 (24) [Periódico revisado por pares] Melville: American Institute of Physics Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
20	Material Type: Artigo		Realization of 366 nm GaN/AlGaN single quantum well ultraviolet laser diodes with a reduction of carrier loss in the waveguide layers Yang, J. ; Wang, B. B. ; Zhao, D. G. ; Liu, Z. S. ; Liang, F. ; Chen, P. ; Zhang, Y. H. ; Zhang, Z. Z. Journal of applied physics, 2021-11, Vol.130 (17) [Periódico revisado por pares] Melville: American Institute of Physics Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por

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