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Civilisation et monnaies byzantines
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Civilisation et monnaies byzantines

Guy Lacam

Paris 60, rue de Lisbonne, 75008 G. Lacam 1974

Localização: FEA - Fac. Econ. Adm. Contab. e Atuária  ACERVO DELFIM NETTO  (A12.17.1 )(Acessar)

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China and Japan
China and Japan
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China and Japan

Lacam, G.

Politique étrangère, 1938, Vol.3 (3), p.309-311 [Periódico revisado por pares]

Centre d'Études de Politique Étrangére

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Revue des Livres (Book Review)
Revue des Livres (Book Review)
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Revue des Livres (Book Review)

Lacam, G ; Vaucher, Paul ; Pierre, André ; Jacobsen, Pierre

Politique Étrangère, 1938, Vol.3 (3), p.301 [Periódico revisado por pares]

Paris: Institut française des relations internationales

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Deep level effects and degradation of 0.15 μm RF AlGaN/GaN HEMTs with Mono-layer and Bi-layer AlGaN backbarrier
Deep level effects and degradation of 0.15 μm RF AlGaN/GaN HEMTs with Mono-layer and Bi-layer AlGaN backbarrier
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Deep level effects and degradation of 0.15 μm RF AlGaN/GaN HEMTs with Mono-layer and Bi-layer AlGaN backbarrier

Gao, Z. ; Chiocchetta, F. ; De Santi, C. ; Modolo, N. ; Rampazzo, F. ; Meneghini, M. ; Meneghesso, G. ; Zanoni, E. ; Blanck, H. ; Stieglauer, H. ; Sommer, D. ; Benoit, L. ; Grunenputt, J. ; Kordina, O. ; Chen, Jr-Tai ; Jacquet, J-C ; Lacam, C. ; Piotrowicz, S.

2022 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), 2022, p.P51-1-P51-6

IEEE

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Effects of buffer compensation strategies on the electrical performance and RF reliability of AlGaN/GaN HEMTs
Effects of buffer compensation strategies on the electrical performance and RF reliability of AlGaN/GaN HEMTs
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Effects of buffer compensation strategies on the electrical performance and RF reliability of AlGaN/GaN HEMTs

Bisi, D. ; Stocco, A. ; Rossetto, I. ; Meneghini, M. ; Rampazzo, F. ; Chini, A. ; Soci, F. ; Pantellini, A. ; Lanzieri, C. ; Gamarra, P. ; Lacam, C. ; Tordjman, M. ; di Forte-Poisson, M.-A. ; De Salvador, D. ; Bazzan, M. ; Meneghesso, G. ; Zanoni, E.

Microelectronics and reliability, 2015-08, Vol.55 (9-10), p.1662-1666 [Periódico revisado por pares]

Elsevier Ltd

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Imaging and identifying defects in nitride semiconductor thin films using a scanning electron microscope
Imaging and identifying defects in nitride semiconductor thin films using a scanning electron microscope
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Imaging and identifying defects in nitride semiconductor thin films using a scanning electron microscope

Naresh-Kumar, G. ; Hourahine, B. ; Vilalta-Clemente, A. ; Ruterana, P. ; Gamarra, P. ; Lacam, C. ; Tordjman, M. ; di Forte-Poisson, M. A. ; Parbrook, P. J. ; Day, A. P. ; England, G. ; Trager-Cowan, C.

Physica status solidi. A, Applications and materials science, 2012-03, Vol.209 (3), p.424-426 [Periódico revisado por pares]

Berlin: WILEY-VCH Verlag

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A fourth-order nonlinear equation of state - Application to the determination of the elastic moduli of single-crystal and polycrystalline solids
A fourth-order nonlinear equation of state - Application to the determination of the elastic moduli of single-crystal and polycrystalline solids
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A fourth-order nonlinear equation of state - Application to the determination of the elastic moduli of single-crystal and polycrystalline solids

Perrin, G ; LACAM, A

Academie des Sciences (Paris), Comptes Rendus, Serie A-Sciences Mathematiques, 1972-11, Vol.275 (20), p.1007-1010

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Les Sarrazins dans le haut moyen-age français (histoire et archéologie)
Les Sarrazins dans le haut moyen-age français (histoire et archéologie)
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Les Sarrazins dans le haut moyen-age français (histoire et archéologie)

M., G. C. ; Lacam, Jean

Journal of the American Oriental Society, 1967, Vol.87 (2), p.212-213 [Periódico revisado por pares]

American Oriental Society

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9
An investigation of the electronic properties, under pressures of up to 4500 bars, of the hgte-cdte alloy (Resistivity and Hall constant for mercury- cadmium-tellurium system at pressures up to 4500 bars)
An investigation of the electronic properties, under pressures of up to 4500 bars, of the hgte-cdte alloy (Resistivity and Hall constant for mercury- cadmium-tellurium system at pressures up to 4500 bars)
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

An investigation of the electronic properties, under pressures of up to 4500 bars, of the hgte-cdte alloy (Resistivity and Hall constant for mercury- cadmium-tellurium system at pressures up to 4500 bars)

LACAM, A ; RODOT, M ; Weill, G

ACADEMIE DES SCIENCES /PARIS/, COMPTES RENDUS, 1965-04, Vol.260 (17), p.4469-4472

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  1. Lacam, G

Neste Assunto:

  1. Physics, Applied
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