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Electromechanically Coupled III-N Quantum Dots
Electromechanically Coupled III-N Quantum Dots
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Electromechanically Coupled III-N Quantum Dots

Barettin, Daniele ; Sakharov, Alexei V ; Tsatsulnikov, Andrey F ; Nikolaev, Andrey E ; Cherkashin, Nikolay

Nanomaterials (Basel, Switzerland), 2023-01, Vol.13 (2), p.241 [Periódico revisado por pares]

Switzerland: MDPI AG

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2
Excitons in (Al,Ga)N quantum dots and quantum wells grown on (0001)-oriented AlN templates: Emission diagrams and valence band mixings
Excitons in (Al,Ga)N quantum dots and quantum wells grown on (0001)-oriented AlN templates: Emission diagrams and valence band mixings
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Excitons in (Al,Ga)N quantum dots and quantum wells grown on (0001)-oriented AlN templates: Emission diagrams and valence band mixings

Ibanez, Alexandra ; Nikitskiy, Nikita ; Zaiter, Aly ; Valvin, Pierre ; Desrat, Wilfried ; Cohen, Thomas ; Ajmal Khan, M. ; Cassabois, Guillaume ; Hirayama, Hideki ; Genevet, Patrice ; Brault, Julien ; Gil, Bernard

Journal of applied physics, 2023-11, Vol.134 (19) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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Spin relaxation in semiconductor quantum rings and dots—a comparative study
Spin relaxation in semiconductor quantum rings and dots—a comparative study
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Spin relaxation in semiconductor quantum rings and dots—a comparative study

Zipper, Elżbieta ; Kurpas, Marcin ; Sadowski, Janusz ; Maśka, Maciej M

Journal of physics. Condensed matter, 2011-03, Vol.23 (11), p.115302-7 [Periódico revisado por pares]

Bristol: IOP Publishing

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4
3D compositional analysis at atomic scale of InAlGaAs capped InAs/GaAs QDs
3D compositional analysis at atomic scale of InAlGaAs capped InAs/GaAs QDs
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3D compositional analysis at atomic scale of InAlGaAs capped InAs/GaAs QDs

Hernández-Saz, J. ; Herrera, M. ; Molina, S.I. ; Stanley, C.R. ; Duguay, S.

Scripta materialia, 2015-07, Vol.103, p.73-76 [Periódico revisado por pares]

Elsevier Ltd

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5
Enhancement and narrowing of the Aharonov-Bohm oscillations due to built-in electric field in stacked type-II ZnTe/ZnSe quantum dots: Spectral analysis
Enhancement and narrowing of the Aharonov-Bohm oscillations due to built-in electric field in stacked type-II ZnTe/ZnSe quantum dots: Spectral analysis
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Enhancement and narrowing of the Aharonov-Bohm oscillations due to built-in electric field in stacked type-II ZnTe/ZnSe quantum dots: Spectral analysis

Roy, B. ; Ji, H. ; Dhomkar, S. ; Cadieu, F. J. ; Peng, L. ; Moug, R. ; Tamargo, M. C. ; Kim, Y. ; Smirnov, D. ; Kuskovsky, I. L.

Physical review. B, Condensed matter and materials physics, 2012-10, Vol.86 (16), Article 165310

United States: American Physical Society

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6
Thermal conductivity of InAs quantum dot stacks using AlAs strain compensating layers on InP substrate
Thermal conductivity of InAs quantum dot stacks using AlAs strain compensating layers on InP substrate
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Thermal conductivity of InAs quantum dot stacks using AlAs strain compensating layers on InP substrate

Salman, S. ; Folliot, H. ; Le Pouliquen, J. ; Chevalier, N. ; Rohel, T. ; Paranthoën, C. ; Bertru, N. ; Labbé, C. ; Letoublon, A. ; Le Corre, A.

Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology, 2012-06, Vol.177 (11), p.882-886 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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