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1
Formation of an extended CoSi2 thin nanohexagons array coherently buried in silicon single crystal
Formation of an extended CoSi2 thin nanohexagons array coherently buried in silicon single crystal
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Formation of an extended CoSi2 thin nanohexagons array coherently buried in silicon single crystal

Guinther Kellermann Luciano A Montoro; Lisandro J Giovanetti; Paula C dos Santos Claro; Liang Zhang; Antonio J Ramirez; Félix G Requejo; Aldo Felix Craievich

Applied Physics Letters New York v. 100, n. 6, p. 063116/1-063116/5, 2012

New York 2012

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2
Digital magnetic heterostructures based on GaN using GGA-1/2 approach
Digital magnetic heterostructures based on GaN using GGA-1/2 approach
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Digital magnetic heterostructures based on GaN using GGA-1/2 approach

J P T Santos M Marques; R R Pelá; L. K Teles (Lara Kühl); Luiz Guimarães Ferreira

Applied Physics Letters Woodbury, v.101, n.11, p. 112403, set.2012

Woodbury 2012

Acesso online

3
Publisher's Note: “Ferrimagnetic compensation and its thickness dependence in TbFeCo alloy thin films” [Appl. Phys. Lett. 120, 022405 (2022)]
Publisher's Note: “Ferrimagnetic compensation and its thickness dependence in TbFeCo alloy thin films” [Appl. Phys. Lett. 120, 022405 (2022)]
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Publisher's Note: “Ferrimagnetic compensation and its thickness dependence in TbFeCo alloy thin films” [Appl. Phys. Lett. 120, 022405 (2022)]

Ishibashi, Mio ; Yakushiji, Kay ; Kawaguchi, Masashi ; Tsukamoto, Arata ; Nakatsuji, Satoru ; Hayashi, Masamitsu

Applied physics letters, 2022-01, Vol.120 (4) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

Texto completo disponível

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4
Publisher's Note: “A multi-pulse wakeup scheme for on-chip operation of devices based on ferroelectric doped HfO2 thin films” [Appl. Phys. Lett. 120, 022901 (2022)]
Publisher's Note: “A multi-pulse wakeup scheme for on-chip operation of devices based on ferroelectric doped HfO2 thin films” [Appl. Phys. Lett. 120, 022901 (2022)]
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Publisher's Note: “A multi-pulse wakeup scheme for on-chip operation of devices based on ferroelectric doped HfO2 thin films” [Appl. Phys. Lett. 120, 022901 (2022)]

Lancaster, S. ; Mikolajick, T. ; Slesazeck, S.

Applied physics letters, 2022-01, Vol.120 (4) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

Texto completo disponível

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5
Publisher's Note: “Hard x-ray photoemission study on strain effect in LaNiO3 thin films” [Appl. Phys Lett. 118, 161601 (2021)]
Publisher's Note: “Hard x-ray photoemission study on strain effect in LaNiO3 thin films” [Appl. Phys Lett. 118, 161601 (2021)]
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Publisher's Note: “Hard x-ray photoemission study on strain effect in LaNiO3 thin films” [Appl. Phys Lett. 118, 161601 (2021)]

Yamagami, K. ; Ikeda, K. ; Hariki, A. ; Zhang, Y. ; Yasui, A. ; Takagi, Y. ; Hotta, Y. ; Katase, T. ; Kamiya, T. ; Wadati, H.

Applied physics letters, 2021-06, Vol.118 (23) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

Texto completo disponível

Citações Citado por
6
Erratum: “Multiferroic properties of uniaxially compressed orthorhombic HoMnO3 thin films” [Appl. Phys. Lett. 108, 112904 (2016)]
Erratum: “Multiferroic properties of uniaxially compressed orthorhombic HoMnO3 thin films” [Appl. Phys. Lett. 108, 112904 (2016)]
Material Type:
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Erratum: “Multiferroic properties of uniaxially compressed orthorhombic HoMnO3 thin films” [Appl. Phys. Lett. 108, 112904 (2016)]

Shimamoto, K. ; Windsor, Y. W. ; Hu, Y. ; Ramakrishnan, M. ; Alberca, A. ; Bothschafter, E. M. ; Rettig, L. ; Lippert, Th ; Staub, U. ; Schneider, C. W.

Applied physics letters, 2016-08, Vol.109 (5) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

Texto completo disponível

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7
Erratum: “Ultrafast laser generated strain in granular and continuous FePt thin films” [Appl. Phys. Lett. 113, 123101 (2018)]
Erratum: “Ultrafast laser generated strain in granular and continuous FePt thin films” [Appl. Phys. Lett. 113, 123101 (2018)]
Material Type:
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Erratum: “Ultrafast laser generated strain in granular and continuous FePt thin films” [Appl. Phys. Lett. 113, 123101 (2018)]

von Reppert, A. ; Willig, L. ; Pudell, J.-E. ; Rössle, M. ; Leitenberger, W. ; Herzog, M. ; Ganss, F. ; Hellwig, O. ; Bargheer, M.

Applied physics letters, 2020-07, Vol.117 (4) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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8
Publisher's Note: “Hall voltage reversal and structural phase transition in VO2 thin films” [Appl. Phys Lett. 116, 082106 (2020)]
Publisher's Note: “Hall voltage reversal and structural phase transition in VO2 thin films” [Appl. Phys Lett. 116, 082106 (2020)]
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Publisher's Note: “Hall voltage reversal and structural phase transition in VO2 thin films” [Appl. Phys Lett. 116, 082106 (2020)]

Feng, J. J. ; Li, C. F. ; Luo, C. L. ; Yang, H. ; Zhang, A. H. ; Li, Q. ; Guo, M. ; Gao, D. ; Fan, Z. ; Chen, D. Y. ; Qin, M. H. ; Zeng, M. ; Gao, X. S. ; Lin, Y. ; Lu, X. B. ; Liu, J.–M.

Applied physics letters, 2020-03, Vol.116 (13) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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9
Room temperature skyrmion ground state stabilized through interlayer exchange coupling
Room temperature skyrmion ground state stabilized through interlayer exchange coupling
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Room temperature skyrmion ground state stabilized through interlayer exchange coupling

Chen, Gong ; Mascaraque, Arantzazu ; N'Diaye, Alpha T. ; Schmid, Andreas K.

Applied physics letters, 2015-06, Vol.106 (24) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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10
Enhanced metallic properties of SrRuO3 thin films via kinetically controlled pulsed laser epitaxy
Enhanced metallic properties of SrRuO3 thin films via kinetically controlled pulsed laser epitaxy
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Enhanced metallic properties of SrRuO3 thin films via kinetically controlled pulsed laser epitaxy

Thompson, J. ; Nichols, J. ; Lee, S. ; Ryee, S. ; Gruenewald, J. H. ; Connell, J. G. ; Souri, M. ; Johnson, J. M. ; Hwang, J. ; Han, M. J. ; Lee, H. N. ; Kim, D.-W. ; Seo, S. S. A.

Applied physics letters, 2016-10, Vol.109 (16) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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  1. Teles, L
  2. Pelá, R
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Neste Assunto:

  1. Physics
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  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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