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1
Photoreflectance characterization of 'gama'-doped p-GaAs
Photoreflectance characterization of 'gama'-doped p-GaAs
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Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Photoreflectance characterization of 'gama'-doped p-GaAs

Ayrton A. Bernussi F Iikawa; Paulo Motisuke; Pierre Basmaji; Máximo Siu Li; Oscar Hipólito; International Conference of Modulation Spectroscopy (1990 San Diego)

Proceedings of SPIE Bellingham : International Society for Optical Engineering - SPIE v. 1286, p. 348-358, March 1990

Bellingham International Society for Optical Engineering - SPIE 1990

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD000092 ) e outros locais(Acessar)

2
Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'
Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'
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Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'

Pierre Basmaji A M Ceschin; Máximo Siu Li; Oscar Hipólito; A A Bernussi; F Iikawa; P Motisuke; International Conference on Modulated Semiconductor Structures (4. 1989 Ann Arbor)

Proceedings Ann Arbor, 1989

Ann Arbor 1989

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD000004-SC ) e outros locais(Acessar)

3
Photoreflectance measurements on 'SI' 'DELTA'-doped 'GA''AS' samples grown by molecular-beam epitaxy
Photoreflectance measurements on 'SI' 'DELTA'-doped 'GA''AS' samples grown by molecular-beam epitaxy
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Photoreflectance measurements on 'SI' 'DELTA'-doped 'GA''AS' samples grown by molecular-beam epitaxy

A A Bernussi F Iikawa; P Motisuke; Pierre Basmaji; Máximo Siu Li; Oscar Hipólito

New York v.67, n.9 , p.4149-51, mai. 1990 Journal of Applied Physics

New York 1990

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD000861 )(Acessar)

4
Photoreflectance measurements on 'SI' 'DELTA'-doped 'GA''AS' samples grown by molecular-beam epitaxy
Photoreflectance measurements on 'SI' 'DELTA'-doped 'GA''AS' samples grown by molecular-beam epitaxy
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Photoreflectance measurements on 'SI' 'DELTA'-doped 'GA''AS' samples grown by molecular-beam epitaxy

A A Bernussi F Iikawa; P Motisuke; Pierre Basmaji; Máximo Siu Li; Oscar Hipólito

New York v.67, n.9 , p.4149-51, mai. 1990 Journal of Applied Physics

New York 1990

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD000861 )(Acessar)

5
Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'
Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'

Pierre Basmaji A M Ceschin; Máximo Siu Li; Oscar Hipólito; A A Bernussi; F Iikawa; P Motisuke

Amsterdam v.228, p.356-8, 1990 Surface Science

Amsterdam 1990

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD001682 )(Acessar)

6
Photoreflectance characterization of silicon delta-doped p-'GA''AS'
Photoreflectance characterization of silicon delta-doped p-'GA''AS'
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Photoreflectance characterization of silicon delta-doped p-'GA''AS'

A. A. Bernussi F Iikawa; P Motisuke; Pierre Basmaji; Máximo Siu Li; Oscar Hipólito; International Conference of Modulation Spectroscopy (1990 San Diego)

Abstracts San Diego, 1990

San Diego 1990

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD001680 )(Acessar)

7
Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'
Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'

Pierre Basmaji A M Ceschin; Máximo Siu Li; Oscar Hipólito; A A Bernussi; F Iikawa; P Motisuke

Amsterdam v.228, p.356-8, 1990 Surface Science

Amsterdam 1990

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD001682 )(Acessar)

8
Dopagem planar ('gama' - doping) 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE)
Dopagem planar ('gama' - doping) 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE)
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Dopagem planar ('gama' - doping) 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE)

A. C. Notari Pierre Basmaji; Máximo Siu Li; Oscar Hipólito; A. A Bernussi; F Iikawa; J Brum; P Motisuke; Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência - CBRAVIC (11. 1990 São Paulo)

Anais São Paulo, 1990

São Paulo 1990

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD001538 )(Acessar)

9
MBE growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'
MBE growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

MBE growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'

Pierre Basmaji A. M Ceschin; Máximo Siu Li; Oscar Hipólito; A. A Bernussi; F Iikawa; P Motisuke; Conference on Superlattices, Quantum Wells, and Mbe Technology (1989 Brasília)

Brasília : Universidade de Brasília, 1989 Program and Abstracts

Brasília Universidade de Brasilia 1989

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD001671 )(Acessar)

10
Análise termodinâmica da deformação em 'GA''AS'/'SI' crescidos pela técnica de epitaxia por feixe molecular
Análise termodinâmica da deformação em 'GA''AS'/'SI' crescidos pela técnica de epitaxia por feixe molecular
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Análise termodinâmica da deformação em 'GA''AS'/'SI' crescidos pela técnica de epitaxia por feixe molecular

A. C. Notari A. M Ceschin; P Basmaji; Máximo Siu Li; Oscar Hipólito; A. A Bernussi; F Iikawa; P Motisuke; Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência - CBRAVIC (11. 1990 São Paulo)

Anais São Paulo, 1990

São Paulo 1990

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD001535 )(Acessar)

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