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Development of MOVPE grown GaSb-on-GaAs interfacial misfit solar cells
Development of MOVPE grown GaSb-on-GaAs interfacial misfit solar cells
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Development of MOVPE grown GaSb-on-GaAs interfacial misfit solar cells

Kessler-Lewis, Emily S. ; Polly, Stephen J. ; Nelson, George T. ; Slocum, Michael A. ; Pokharel, Nikhil ; Ahrenkiel, Phil ; Hubbard, Seth M.

Journal of applied physics, 2023-06, Vol.133 (24) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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2
Role of electron correlations in deoxyribonucleic acid duplexes: is an extended Hubbard Hamiltonian a good model in this case?
Role of electron correlations in deoxyribonucleic acid duplexes: is an extended Hubbard Hamiltonian a good model in this case?
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Role of electron correlations in deoxyribonucleic acid duplexes: is an extended Hubbard Hamiltonian a good model in this case?

Starikov, E. B.

Philosophical magazine letters, 2003-11, Vol.83 (11), p.699-708 [Periódico revisado por pares]

London: Taylor & Francis Group

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3
Effective Hamiltonian of the two-band Hubbard model: An exact result
Effective Hamiltonian of the two-band Hubbard model: An exact result
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Effective Hamiltonian of the two-band Hubbard model: An exact result

Chan, Raymond ; Gulácsi, Miklós

Philosophical magazine letters, 2002-12, Vol.82 (12), p.671-680 [Periódico revisado por pares]

London: Taylor & Francis Group

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4
Orientations of Al4C3 and Al films grown on GaAs substrates
Orientations of Al4C3 and Al films grown on GaAs substrates
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Orientations of Al4C3 and Al films grown on GaAs substrates

Pokharel, Nikhil ; Smaglik, Nathan ; Ahrenkiel, Phil ; Giussani, Alessandro ; Slocum, Michael A. ; Hubbard, Seth M.

Materials science in semiconductor processing, 2019-08, Vol.98 (C), p.49-54 [Periódico revisado por pares]

Netherlands: Elsevier Ltd

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5
Transitions between Hall plateaux and the dimerization transition of a Hubbard chain
Transitions between Hall plateaux and the dimerization transition of a Hubbard chain
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Transitions between Hall plateaux and the dimerization transition of a Hubbard chain

Lee, Dung-Hai

Philosophical magazine letters, 1996-03, Vol.73 (3), p.145-152 [Periódico revisado por pares]

London: Taylor & Francis Group

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6
Excitonic states in the one-dimensional Hubbard model
Excitonic states in the one-dimensional Hubbard model
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Excitonic states in the one-dimensional Hubbard model

Gulacsi, M. ; Bishop, A. R.

Philosophical magazine letters, 1998-01, Vol.77 (1), p.59-67 [Periódico revisado por pares]

London: Taylor & Francis Group

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Ground state of the large-U Hubbard model in the large-n limit for triangular and honeycomb lattices
Ground state of the large-U Hubbard model in the large-n limit for triangular and honeycomb lattices
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Ground state of the large-U Hubbard model in the large-n limit for triangular and honeycomb lattices

Voon, Lok C. Lew Yan

Philosophical magazine letters, 1991-09, Vol.64 (3), p.153-156 [Periódico revisado por pares]

London: Taylor & Francis Group

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8
Development of Aluminum Epilayers as Buffers for GaInAs
Development of Aluminum Epilayers as Buffers for GaInAs
Material Type:
Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Development of Aluminum Epilayers as Buffers for GaInAs

Ahrenkiel, Phil ; Smaglik, Nathan ; Pokharel, Nikhil ; Giussani, Alessandro ; Slocum, Michael A. ; Hubbard, Seth M.

2017 IEEE 44th Photovoltaic Specialist Conference (PVSC), 2017, p.831-836

IEEE

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9
Development of GaSb solar cells on GaAs by MOVPE via interface misfit technique
Development of GaSb solar cells on GaAs by MOVPE via interface misfit technique
Material Type:
Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Development of GaSb solar cells on GaAs by MOVPE via interface misfit technique

Slocum, Michael A. ; Giussani, Alessandro ; Kessler, Emily ; Ahrenkiel, Phil ; Nelson, George T. ; Hubbard, Seth M.

2017 IEEE 44th Photovoltaic Specialist Conference (PVSC), 2017, p.206-209

IEEE

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10
Metal-insulator transition in a generalized Hubbard model with bond-charge interaction
Metal-insulator transition in a generalized Hubbard model with bond-charge interaction
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Metal-insulator transition in a generalized Hubbard model with bond-charge interaction

Sun, Tao

Philosophical magazine letters, 1996-04, Vol.73 (4), p.201-208 [Periódico revisado por pares]

London: Taylor & Francis Group

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