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Thermally activated degradation and package instabilities of low flux LEDS
Thermally activated degradation and package instabilities of low flux LEDS
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Thermally activated degradation and package instabilities of low flux LEDS

Trevisanello, L. ; De Zuani, F. ; Meneghini, M. ; Trivellin, N. ; Zanoni, E. ; Meneghesso, G.

2009 IEEE International Reliability Physics Symposium, 2009, p.98-103

IEEE

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2
Failure mechanisms of GaN HEMTs for microwave and millimeter-wave applications: from interdiffusion effects to hot-electrons degradation
Failure mechanisms of GaN HEMTs for microwave and millimeter-wave applications: from interdiffusion effects to hot-electrons degradation
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Failure mechanisms of GaN HEMTs for microwave and millimeter-wave applications: from interdiffusion effects to hot-electrons degradation

Meneghesso, G. ; Meneghini, M. ; De Santi, C. ; Buffolo, M. ; Rampazzo, F. ; Chiocchetta, F. ; Zhan, G. ; Sharma, C. ; Zanoni, E.

2021 43rd Annual EOS/ESD Symposium (EOS/ESD), 2021, Vol.43, p.1-8

EOS/ESD Association, Inc

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3
False surface-trap signatures induced by buffer traps in AlGaN-GaN HEMTs
False surface-trap signatures induced by buffer traps in AlGaN-GaN HEMTs
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Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

False surface-trap signatures induced by buffer traps in AlGaN-GaN HEMTs

Verzellesi, G ; Faqir, M ; Chini, A ; Fantini, F ; Meneghesso, G ; Zanoni, E ; Danesin, F ; Zanon, F ; Rampazzos, F ; Marino, F.A ; Cavallini, A ; Castaldini, A

2009 IEEE International Reliability Physics Symposium, 2009, p.732-735

IEEE

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4
Reliability of mid-power LEDs for lighting applications
Reliability of mid-power LEDs for lighting applications
Material Type:
Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Reliability of mid-power LEDs for lighting applications

Buffolo, M ; De Santi, C ; Meneghini, M ; Meneghesso, G ; Zanoni, E

IET Conference Proceedings, 2016

Stevenage: The Institution of Engineering & Technology

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5
Defect-related tunneling contributions to subthreshold forward current in GaN-Based LEDs
Defect-related tunneling contributions to subthreshold forward current in GaN-Based LEDs
Material Type:
Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Defect-related tunneling contributions to subthreshold forward current in GaN-Based LEDs

Mandurrino, M ; Verzellesi, G ; Goano, M ; Dominici, S ; Bertazzi, F ; Ghione, G ; Meneghini, M ; Meneghesso, G ; Zanoni, E

2015 Fotonica AEIT Italian Conference on Photonics Technologies, 2015, p.4

Stevenage, UK: IET

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6
GaN-on-Si Power HEMTs for Automotive: Current Status and Perspectives
GaN-on-Si Power HEMTs for Automotive: Current Status and Perspectives
Material Type:
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GaN-on-Si Power HEMTs for Automotive: Current Status and Perspectives

Favero, D. ; Marcuzzi, A. ; De Santi, C. ; Meneghesso, G. ; Zanoni, E. ; Meneghini, M.

2023 AEIT International Conference on Electrical and Electronic Technologies for Automotive (AEIT AUTOMOTIVE), 2023, p.1-6

AEIT

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7
Failure mechanisms of GaN-based LEDs related with instabilities in doping profile and deep levels
Failure mechanisms of GaN-based LEDs related with instabilities in doping profile and deep levels
Material Type:
Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Failure mechanisms of GaN-based LEDs related with instabilities in doping profile and deep levels

Meneghesso, G. ; Levada, S. ; Zanoni, E. ; Salviati, G. ; Armani, N. ; Rossi, F. ; Pavesi, M. ; Manfredi, M. ; Cavallini, A. ; Castaldini, A. ; Du, S. ; Eliashevich, I.

2004 IEEE International Reliability Physics Symposium. Proceedings, 2004, p.474-478

Piscataway NJ: IEEE

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8
Study of breakdown dynamics in InAlAs/InGaAs/InP hemts with gate length scaling down to 80 nm
Study of breakdown dynamics in InAlAs/InGaAs/InP hemts with gate length scaling down to 80 nm
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Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Study of breakdown dynamics in InAlAs/InGaAs/InP hemts with gate length scaling down to 80 nm

PIEROBON, R ; RAMPAZZO, F ; CLONFERO, F ; DE PELLEGRIN, T ; BERTAZZO, M ; MENEGHESSO, G ; ZANONI, E ; SUEMITSU, T ; ENOKI, T

Piscataway NJ: IEEE 2004

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9
Modeling of the Optical and Electrical Degradation of 845 nm VCSILs
Modeling of the Optical and Electrical Degradation of 845 nm VCSILs
Material Type:
Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Modeling of the Optical and Electrical Degradation of 845 nm VCSILs

Buffolo, M. ; Zenari, M. ; Fornasier, M. ; De Santi, C. ; Goyvaerts, J. ; Grabowski, A. ; Gustavsson, J. ; Kumari, S. ; Stassen, A. ; Morthier, Geert ; Baets, R. ; Larsson, A. ; Roelkens, G. ; Meneghesso, G. ; Zanoni, E. ; Meneghini, M.

2023 Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO), 2023, p.1-2

OSA

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10
Hot-electron induced degradation in AlGaAs/GaAs HEMTs
Hot-electron induced degradation in AlGaAs/GaAs HEMTs
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Hot-electron induced degradation in AlGaAs/GaAs HEMTs

Tedesco, C. ; Canali, C. ; Magistrali, F. ; Paccagnella, A. ; Zanoni, E.

ESSDERC '92: 22nd European Solid State Device Research conference, 1992, Vol.19 (1), p.405-408 [Periódico revisado por pares]

AMSTERDAM: Elsevier B.V

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