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Oscillation of the scattering time in a 2D electron system with oval antidots
Oscillation of the scattering time in a 2D electron system with oval antidots
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Oscillation of the scattering time in a 2D electron system with oval antidots

G. M. Gusev X Kleber; U Gennser; D. K Maude; J. C Portal; D. I Lubyshev; Pierre Basmaji; Marcelo de Assumpção Pereira da Silva; J. C Rossi; Yu V Nastaushev; M. R Baklanov; International Conference on Modulated Semiconductor Structures (7. 1995 Madrid)

Workbook I 1995

Madrid 1995

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD003635 ) e outros locais(Acessar)

2
Charge capture in 'AL''GA''AS' / 'GA''AS' heterostructures with disordered antidot lattice
Charge capture in 'AL''GA''AS' / 'GA''AS' heterostructures with disordered antidot lattice
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Charge capture in 'AL''GA''AS' / 'GA''AS' heterostructures with disordered antidot lattice

Pierre Basmaji G M Gusev; D I Lubyshev; Marcelo de Assumpção Pereira da Silva; J C Rossi; Y V Nastaushev; M R Baklanov

Lausanne v.35, p.322-4, 1995 Materials Science and Engineering B

Lausanne 1995

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD003842 )(Acessar)

3
Charge capture in 'AL''GA''AS' / 'GA''AS' heterostructures with disordered antidot lattice
Charge capture in 'AL''GA''AS' / 'GA''AS' heterostructures with disordered antidot lattice
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Charge capture in 'AL''GA''AS' / 'GA''AS' heterostructures with disordered antidot lattice

Pierre Basmaji G M Gusev; D I Lubyshev; Marcelo de Assumpção Pereira da Silva; J C Rossi; Y V Nastaushev; M R Baklanov

Lausanne v.35, p.322-4, 1995 Materials Science and Engineering B

Lausanne 1995

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD003842 )(Acessar)

4
Oscillation of the scattering time in a 2d electron system with oval antidots
Oscillation of the scattering time in a 2d electron system with oval antidots
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Oscillation of the scattering time in a 2d electron system with oval antidots

G M Gusev X Kleber; U Gennser; D K Maude; J C Portal; D I Lubyshev; Pierre Basmaji; M P A Silva; J C Rossi; Y V Nastaushev; M R Baklanov

Oxford v.40, n.1-8, p.441-6, 1996 Solid State Electronics

Oxford 1996

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD003952 )(Acessar)

5
Disorder-induced inhomogeneities of the superconducting state close to the superconductor-insulator transition
Disorder-induced inhomogeneities of the superconducting state close to the superconductor-insulator transition
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Disorder-induced inhomogeneities of the superconducting state close to the superconductor-insulator transition

Sacépé, B ; Chapelier, C ; Baturina, T I ; Vinokur, V M ; Baklanov, M R ; Sanquer, M

Phys. Rev. Lett, 2008-10, Vol.101 (15), p.157006-157006, Article 157006 [Periódico revisado por pares]

United States

Texto completo disponível

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6
Evaluation of Mechanical Properties of Porous OSG Films by PFQNM AFM and Benchmarking with Traditional Instrumentation
Evaluation of Mechanical Properties of Porous OSG Films by PFQNM AFM and Benchmarking with Traditional Instrumentation
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Evaluation of Mechanical Properties of Porous OSG Films by PFQNM AFM and Benchmarking with Traditional Instrumentation

Ovchinnikov, I. S ; Vishnevskiy, A. S ; Seregin, D. S ; Rezvanov, A. A ; Schneider, D ; Sigov, A. S ; Vorotilov, K. A ; Baklanov, M. R

Langmuir, 2020-08, Vol.36 (32), p.9377-9387 [Periódico revisado por pares]

American Chemical Society

Texto completo disponível

Citações Citado por
7
Low dielectric constant materials for microelectronics
Low dielectric constant materials for microelectronics
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Low dielectric constant materials for microelectronics

Maex, K. ; Baklanov, M. R. ; Shamiryan, D. ; lacopi, F. ; Brongersma, S. H. ; Yanovitskaya, Z. S.

Journal of applied physics, 2003-06, Vol.93 (11), p.8793-8841 [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

Citações Citado por
8
Localized superconductivity in the quantum-critical region of the disorder-driven superconductor-insulator transition in TiN thin films
Localized superconductivity in the quantum-critical region of the disorder-driven superconductor-insulator transition in TiN thin films
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Localized superconductivity in the quantum-critical region of the disorder-driven superconductor-insulator transition in TiN thin films

Baturina, T I ; Mironov, A Yu ; Vinokur, V M ; Baklanov, M R ; Strunk, C

Phys. Rev. Lett, 2007-12, Vol.99 (25), p.257003-257003, Article 257003 [Periódico revisado por pares]

United States

Texto completo disponível

Citações Citado por
9
Defect-induced bandgap narrowing in low-k dielectrics
Defect-induced bandgap narrowing in low-k dielectrics
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Defect-induced bandgap narrowing in low-k dielectrics

Guo, X. ; Zheng, H. ; King, S. W. ; Afanas'ev, V. V. ; Baklanov, M. R. ; de Marneffe, J.-F. ; Nishi, Y. ; Shohet, J. L.

Applied physics letters, 2015-08, Vol.107 (8) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

Texto completo disponível

Citações Citado por
10
Superconducting phase transitions in ultrathin TiN films
Superconducting phase transitions in ultrathin TiN films
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Superconducting phase transitions in ultrathin TiN films

Baturina, T. I ; Postolova, S. V ; Mironov, A. Yu ; Glatz, A ; Baklanov, M. R ; Vinokur, V. M

Europhysics letters, 2012-01, Vol.97 (1), p.17012 [Periódico revisado por pares]

IOP Publishing

Texto completo disponível

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Deste Autor:

  1. Nastaushev, Y
  2. Lubyshev, D
  3. Rossi, J
  4. Basmaji, P
  5. Silva, M

Neste Assunto:

  1. Science & Technology
  2. Physical Sciences
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  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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