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1	Material Type: Artigo		High-Speed and Low-Power Ultradeep-Submicrometer III-V Heterojunctionless Tunnel Field-Effect Transistor Asthana, Pranav Kumar ; Ghosh, Bahniman ; Goswami, Yogesh ; Tripathi, Ball Mukund Mani IEEE transactions on electron devices, 2014-02, Vol.61 (2), p.479-486 [Periódico revisado por pares] New York: IEEE Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
2	Material Type: Artigo		Performance investigation of asymmetric double-gate doping less tunnel FET with Si/Ge heterojunction Sharma, Suruchi ; Kaur, Baljit IET circuits, devices & systems, 2020-08, Vol.14 (5), p.695-701 [Periódico revisado por pares] The Institution of Engineering and Technology Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
3	Material Type: Artigo		Dual-channel trench-gate tunnel FET for improved ON-current and subthreshold swing Joshi, T ; Singh, Y ; Singh, B Electronics letters, 2019-10, Vol.55 (21), p.1152-1155 [Periódico revisado por pares] The Institution of Engineering and Technology Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
4	Material Type: Artigo		Chemical Vapor Deposition of Quaternary 2D BiCuSeO p‐Type Semiconductor with Intrinsic Degeneracy Li, Jie ; Zhang, Yan ; Zhang, Junrong ; Chu, Junwei ; Xie, Liu ; Yu, Wenzhi ; Zhao, Xinxin ; Chen, Cheng ; Dong, Zhuo ; Huang, Luyi ; Yang, Liu ; Yu, Qiang ; Ren, Zeqian ; Wang, Junyong ; Xu, Yijun ; Zhang, Kai Advanced materials (Weinheim), 2022-12, Vol.34 (50), p.e2207796-n/a [Periódico revisado por pares] Germany Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
5	Material Type: Artigo		Dual-Metal-Gate InAs Tunnel FET With Enhanced Turn-On Steepness and High On-Current Beneventi, Giovanni Betti ; Gnani, Elena ; Gnudi, Antonio ; Reggiani, Susanna ; Baccarani, Giorgio IEEE transactions on electron devices, 2014-03, Vol.61 (3), p.776-784 [Periódico revisado por pares] New York: IEEE Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
6	Material Type: Artigo		Thermal conductivity of thin insulating films determined by tunnel magneto-Seebeck effect measurements and finite-element modeling Huebner, Torsten ; Martens, Ulrike ; Walowski, Jakob ; Münzenberg, Markus ; Thomas, Andy ; Reiss, Günter ; Kuschel, Timo Journal of physics. D, Applied physics, 2018-05, Vol.51 (22), p.224006 [Periódico revisado por pares] IOP Publishing Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
7	Material Type: Artigo		Nanowire gate all around-TFET-based biosensor by considering ambipolar transport Reddy, N. Nagendra ; Panda, Deepak Kumar Applied physics. A, Materials science & processing, 2021, Vol.127 (9), p.682-682, Article 682 [Periódico revisado por pares] Berlin/Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
8	Material Type: Artigo		Wigner time delay revisited Fetić, Benjamin ; Becker, Wilhelm ; Milošević, Dejan B. Annals of physics, 2024-06, Vol.465, Article 169666 [Periódico revisado por pares] Elsevier Inc Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
9	Material Type: Artigo		Ultra-low switching energy and scaling in electric-field-controlled nanoscale magnetic tunnel junctions with high resistance-area product Grezes, C. ; Ebrahimi, F. ; Alzate, J. G. ; Cai, X. ; Katine, J. A. ; Langer, J. ; Ocker, B. ; Khalili Amiri, P. ; Wang, K. L. Applied physics letters, 2016-01, Vol.108 (1) [Periódico revisado por pares] Melville: American Institute of Physics Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
10	Material Type: Artigo		High-Current GaSb/InAs(Sb) Nanowire Tunnel Field-Effect Transistors Dey, A. W. ; Borg, B. M. ; Ganjipour, B. ; Ek, M. ; Dick, K. A. ; Lind, E. ; Thelander, C. ; Wernersson, L. IEEE electron device letters, 2013-02, Vol.34 (2), p.211-213 [Periódico revisado por pares] New York, NY: IEEE Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por

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