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Integration of GaN analog building blocks on p-GaN wafers for GaN ICs
Integration of GaN analog building blocks on p-GaN wafers for GaN ICs
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Integration of GaN analog building blocks on p-GaN wafers for GaN ICs

Li, Xiangdong ; Geens, Karen ; Amirifar, Nooshin ; Zhao, Ming ; You, Shuzhen ; Posthuma, Niels ; Liang, Hu ; Groeseneken, Guido ; Decoutere, Stefaan

JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2021-02, Vol.42 (2) [Periódico revisado por pares]

IOP Publishing Ltd

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2
A GAN-based hybrid sampling method for imbalanced customer classification
A GAN-based hybrid sampling method for imbalanced customer classification
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

A GAN-based hybrid sampling method for imbalanced customer classification

Zhu, Bing ; Pan, Xin ; vanden Broucke, Seppe ; Xiao, Jin

Information Sciences, 2022-09, Vol.609, p.1397-1411 [Periódico revisado por pares]

Elsevier Science

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3
Improving GANs for speech enhancement
Improving GANs for speech enhancement
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Improving GANs for speech enhancement

Phan, H ; McLoughlin, IV ; Pham, L ; Chen, OY ; Koch, P ; De Vos, Maarten ; Mertins, A

Ieee Signal Processing Letters, 2020-12, Vol.27, p.1700-1704 [Periódico revisado por pares]

Institute of Electrical and Electronics Engineers

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4
Reliability of p-GaN Gate HEMTs in Reverse Conduction
Reliability of p-GaN Gate HEMTs in Reverse Conduction
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Reliability of p-GaN Gate HEMTs in Reverse Conduction

Cingu, Deepthi ; Li, Xiangdong ; Bakeroot, Benoit ; Amirifar, Nooshin ; Geens, Karen ; Jacobs, Kristof JP ; Zhao, Ming ; You, Shuzhen ; Groeseneken, Guido ; Decoutere, Stefaan

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2021-02, Vol.68 (2), p.645-652 [Periódico revisado por pares]

IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC

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5
Suppression of the Backgating Effect of Enhancement-Mode p-GaN HEMTs on 200-mm GaN-on-SOI for Monolithic Integration
Suppression of the Backgating Effect of Enhancement-Mode p-GaN HEMTs on 200-mm GaN-on-SOI for Monolithic Integration
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Suppression of the Backgating Effect of Enhancement-Mode p-GaN HEMTs on 200-mm GaN-on-SOI for Monolithic Integration

Li, Xiangdong ; Van Hove, Marleen ; Zhao, Ming ; Geens, Karen ; Guo, Weiming ; You, Shuzhen ; Stoffels, Steve ; Lempinen, Vesa-Pekka ; Sormunen, Jaakko ; Groeseneken, Guido ; Decoutere, Stefaan

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2018-07, Vol.39 (7), p.999-1002 [Periódico revisado por pares]

IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC

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6
Analysis of semi-insulating carbon-doped GaN layers using deep-level transient spectroscopy
Analysis of semi-insulating carbon-doped GaN layers using deep-level transient spectroscopy
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Analysis of semi-insulating carbon-doped GaN layers using deep-level transient spectroscopy

Wang, Hongyue ; Hsu, Po-Chun Brent ; Zhao, Ming ; Simoen, Eddy ; De Gendt, Stefan ; Sibaja-Hernandez, Arturo ; Wang, Jinyan

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2021-11, Vol.130 (20) [Periódico revisado por pares]

AIP Publishing

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7
Regular Turan numbers and some Gan-Loh-Sudakov-type problems
Regular Turan numbers and some Gan-Loh-Sudakov-type problems
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Regular Turan numbers and some Gan-Loh-Sudakov-type problems

Cambie, Stijn ; de Verclos, Remi de Joannis ; Kang, Ross J

JOURNAL OF GRAPH THEORY, 2023-01, Vol.102 (1), p.67-85 [Periódico revisado por pares]

WILEY

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8
ESD HBM Discharge Model in RF GaN-on-Si (MIS)HEMTs
ESD HBM Discharge Model in RF GaN-on-Si (MIS)HEMTs
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ESD HBM Discharge Model in RF GaN-on-Si (MIS)HEMTs

Wu, Wei-Min ; Ker, Ming-Dou ; Chen, Shih-Hung ; Sibaja-Hernandez, Arturo ; Yadav, Sachin ; Peralagu, Uthayasankaran ; Yu, Hao ; Alian, AliReza ; Putcha, Vamsi ; Parvais, Bertrand ; Collaert, Nadine ; Groeseneken, Guido

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2022-04, Vol.69 (4), p.2180-2187 [Periódico revisado por pares]

IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC

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9
Investigating the Current Collapse Mechanisms of p-GaN Gate HEMTs by Different Passivation Dielectrics
Investigating the Current Collapse Mechanisms of p-GaN Gate HEMTs by Different Passivation Dielectrics
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Investigating the Current Collapse Mechanisms of p-GaN Gate HEMTs by Different Passivation Dielectrics

Li, Xiangdong ; Posthuma, Niels ; Bakeroot, Benoit ; Liang, Hu ; You, Shuzhen ; Wu, Zhicheng ; Zhao, Ming ; Groeseneken, Guido ; Decoutere, Stefaan

IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS, 2021-05, Vol.36 (5), p.4927-4930 [Periódico revisado por pares]

IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC

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10
200 V enhancement-mode p-GaN HEMTs fabricated on 200 mm GaN-on-SOI with trench isolation for monolithic integration
200 V enhancement-mode p-GaN HEMTs fabricated on 200 mm GaN-on-SOI with trench isolation for monolithic integration
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200 V enhancement-mode p-GaN HEMTs fabricated on 200 mm GaN-on-SOI with trench isolation for monolithic integration

Li, Xiangdong ; Van Hove, Marleen ; Zhao, Ming ; Geens, Karen ; Lempinen, Vesa-Pekka ; Sormunen, Jaakko ; Groeseneken, Guido ; Decoutere, Stefaan

IEEE Electron Device Letters, 2017, Vol.38 (7), p.918-921 [Periódico revisado por pares]

Institute of Electrical and Electronics Engineers

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