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GaN and related materials
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S. J Pearton

Amsterdam Gordon and Breach c1997

Localização: IF - Instituto de Física    (537.622 P362g )(Acessar)

2
Low-dimensional nitride semiconductors
Low-dimensional nitride semiconductors
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Livro 		Adicionar ao Meu Espaço

Low-dimensional nitride semiconductors

B Gil (Bernard)

Oxford Oxford University Press 2002

Localização: IF - Instituto de Física    (621.38152 G463l )(Acessar)

3
Gate Conduction Mechanisms and Lifetime Modeling of p-Gate AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors
Gate Conduction Mechanisms and Lifetime Modeling of p-Gate AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors
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Gate Conduction Mechanisms and Lifetime Modeling of p-Gate AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors

Stockman, Arno ; Masin, Fabrizio ; Meneghini, Matteo ; Zanoni, Enrico ; Meneghesso, Gaudenzio ; Bakeroot, Benoit ; Moens, Peter

IEEE transactions on electron devices, 2018-12, Vol.65 (12), p.5365-5372 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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p-Channel GaN Transistor Based on p-GaN/AlGaN/GaN on Si
p-Channel GaN Transistor Based on p-GaN/AlGaN/GaN on Si
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

p-Channel GaN Transistor Based on p-GaN/AlGaN/GaN on Si

Chowdhury, Nadim ; Lemettinen, Jori ; Xie, Qingyun ; Zhang, Yuhao ; Rajput, Nitul S. ; Xiang, Peng ; Cheng, Kai ; Suihkonen, Sami ; Then, Han Wui ; Palacios, Tomas

IEEE electron device letters, 2019-07, Vol.40 (7), p.1036-1039 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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Compensation Dopant-Free GaN-on-Si HEMTs With a Polarization Engineered Buffer for RF Applications
Compensation Dopant-Free GaN-on-Si HEMTs With a Polarization Engineered Buffer for RF Applications
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Compensation Dopant-Free GaN-on-Si HEMTs With a Polarization Engineered Buffer for RF Applications

Gowrisankar, Aniruddhan ; Charan, Vanjari Sai ; Chandrasekar, Hareesh ; Venugopalarao, Anirudh ; Muralidharan, R. ; Raghavan, Srinivasan ; Nath, Digbijoy N.

IEEE transactions on electron devices, 2023-04, Vol.70 (4), p.1622-1627 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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Temperature-Dependent Access Resistances in Large-Signal Modeling of Millimeter-Wave AlGaN/GaN HEMTs
Temperature-Dependent Access Resistances in Large-Signal Modeling of Millimeter-Wave AlGaN/GaN HEMTs
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Temperature-Dependent Access Resistances in Large-Signal Modeling of Millimeter-Wave AlGaN/GaN HEMTs

Zhao, Xiaodong ; Xu, Yuehang ; Jia, Yonghao ; Wu, Yunqiu ; Xu, Ruimin ; Li, Jingqiang ; Hu, Zhifu ; Wu, Hongjiang ; Dai, Wei ; Cai, Shujun

IEEE transactions on microwave theory and techniques, 2017-07, Vol.65 (7), p.2271-2278 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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3.3 kV Multi-Channel AlGaN/GaN Schottky Barrier Diodes With P-GaN Termination
3.3 kV Multi-Channel AlGaN/GaN Schottky Barrier Diodes With P-GaN Termination
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3.3 kV Multi-Channel AlGaN/GaN Schottky Barrier Diodes With P-GaN Termination

Xiao, Ming ; Ma, Yunwei ; Cheng, Kai ; Liu, Kai ; Xie, Andy ; Beam, Edward ; Cao, Yu ; Zhang, Yuhao

IEEE electron device letters, 2020-08, Vol.41 (8), p.1177-1180 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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High Breakdown Voltage and Low-Current Dispersion in AlGaN/GaN HEMTs With High-Quality AlN Buffer Layer
High Breakdown Voltage and Low-Current Dispersion in AlGaN/GaN HEMTs With High-Quality AlN Buffer Layer
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High Breakdown Voltage and Low-Current Dispersion in AlGaN/GaN HEMTs With High-Quality AlN Buffer Layer

Kim, Jeong-Gil ; Cho, Chuyoung ; Kim, Eunjin ; Hwang, Jae Seok ; Park, Kyung-Ho ; Lee, Jung-Hee

IEEE transactions on electron devices, 2021-04, Vol.68 (4), p.1513-1517 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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9
The emergence and prospects of deep-ultraviolet light-emitting diode technologies
The emergence and prospects of deep-ultraviolet light-emitting diode technologies
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The emergence and prospects of deep-ultraviolet light-emitting diode technologies

Kneissl, Michael ; Seong, Tae-Yeon ; Han, Jung ; Amano, Hiroshi

Nature photonics, 2019-04, Vol.13 (4), p.233-244 [Periódico revisado por pares]

London: Nature Publishing Group

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10
GaN-on-Si Power Technology: Devices and Applications
GaN-on-Si Power Technology: Devices and Applications
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GaN-on-Si Power Technology: Devices and Applications

Chen, Kevin J. ; Haberlen, Oliver ; Lidow, Alex ; Chun Lin Tsai ; Ueda, Tetsuzo ; Uemoto, Yasuhiro ; Yifeng Wu

IEEE transactions on electron devices, 2017-03, Vol.64 (3), p.779-795 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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  2. Gallium Nitrides
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