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3D topography in self-sustained membranes of SiOxNy obtained by PECVD technique at low temperatures
3D topography in self-sustained membranes of SiOxNy obtained by PECVD technique at low temperatures
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3D topography in self-sustained membranes of SiOxNy obtained by PECVD technique at low temperatures

Marcelo Nelson Páez Carreño 1962- Alexandre Tavares Lopes; Marco Isaías Alayo Chávez 1971-; Inés Pereyra 1947-; International Symposium on Microelectronics Technology and Devices (17th 2002 Porto Alegre, RS)

Morimoto, N.I.; Ribas, P.R.; Verdonck, P.B., eds Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2002 Pennington : The Electrochemical Society, 2002

Pennington The Electrochemical Society 2002

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  1. Páez Carreño, M
  2. Pereyra, I
  3. Lopes, A
  4. Alayo Chávez, M
  5. International Symposium on Microelectronics Technology and Devices

Neste Assunto:

  1. Microeletrônica

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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