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Investigation of preparation parameters to improve the dissolution of poorly water-soluble meloxicam
Investigation of preparation parameters to improve the dissolution of poorly water-soluble meloxicam
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Investigation of preparation parameters to improve the dissolution of poorly water-soluble meloxicam

Ambrus, R. ; Kocbek, P. ; Kristl, J. ; Šibanc, R. ; Rajkó, R. ; Szabó-Révész, P.

International journal of pharmaceutics, 2009-11, Vol.381 (2), p.153-159 [Periódico revisado por pares]

Netherlands: Elsevier B.V

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2
Lateral growth of titanium silicide over a silicon dioxide layer
Lateral growth of titanium silicide over a silicon dioxide layer
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Lateral growth of titanium silicide over a silicon dioxide layer

Révész, P. ; Gyimesi, J. ; Pogány, L. ; Petõ, G.

Journal of applied physics, 1983-01, Vol.54 (4), p.2114-2115 [Periódico revisado por pares]

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3
Oxidation and reduction of copper oxide thin films
Oxidation and reduction of copper oxide thin films
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Oxidation and reduction of copper oxide thin films

JIAN LI ; VIZKELETHY, G ; REVESZ, P ; MAYER, J. W ; TU, K. N

Journal of applied physics, 1991-01, Vol.69 (2), p.1020-1029 [Periódico revisado por pares]

Woodbury, NY: American Institute of Physics

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4
Development of Spherical Crystals of Acetylsalicylic Acid for Direct Tablet-making
Development of Spherical Crystals of Acetylsalicylic Acid for Direct Tablet-making
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Development of Spherical Crystals of Acetylsalicylic Acid for Direct Tablet-making

GOCZO, Hajnalka ; SZABO-REVESZ, Piroska ; FARKAS, Bela ; HASZNOS-NEZDEI, Magdolna ; SERWANIS, Serwanis Fahim ; PINTYE-HODI, Klara ; KASA, JR ; EROS, Istvan ; ANTAL, Istvan ; MARTON, Sylvia

Chemical and Pharmaceutical Bulletin, 2000/12/01, Vol.48(12), pp.1877-1881 [Periódico revisado por pares]

Tokyo: The Pharmaceutical Society of Japan

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5
Epitaxial regrowth of Ar implanted amorphous Si by laser annealing
Epitaxial regrowth of Ar implanted amorphous Si by laser annealing
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Epitaxial regrowth of Ar implanted amorphous Si by laser annealing

Matteson, S. ; Révész, P. ; Farkas, Gy ; Gyulai, J. ; Sheng, T. T.

Journal of applied physics, , Vol.51 (5), p.2625-2629 [Periódico revisado por pares]

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6
Influence of carbon on the enhanced oxygen loss in copper oxide films
Influence of carbon on the enhanced oxygen loss in copper oxide films
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Influence of carbon on the enhanced oxygen loss in copper oxide films

Li, Jian ; Vizkelethy, G. ; Revesz, P. ; Mayer, J. W. ; Matienzo, L. J. ; Emmi, F. ; Ortega, C. ; Siejka, J.

Applied physics letters, 1991-03, Vol.58 (12), p.1344-1346 [Periódico revisado por pares]

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7
Morphological degradation of TiSi2 on 〈100〉 silicon
Morphological degradation of TiSi2 on 〈100〉 silicon
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Morphological degradation of TiSi2 on 〈100〉 silicon

Revesz, P. ; Zheng, L. R. ; Hung, L. S. ; Mayer, J. W.

Applied physics letters, 1986-06, Vol.48 (23), p.1591-1593 [Periódico revisado por pares]

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8
Epitaxial regrowth of Ar-implanted amorphous silicon
Epitaxial regrowth of Ar-implanted amorphous silicon
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Epitaxial regrowth of Ar-implanted amorphous silicon

Revesz, P ; Wittmer, M ; Roth, J ; Mayer, J W

Journal of applied physics, 1978-10, Vol.49 (10), p.5199-5206 [Periódico revisado por pares]

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9
Thermal and ion beam induced reactions in Ni thin films on BP(100)
Thermal and ion beam induced reactions in Ni thin films on BP(100)
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Thermal and ion beam induced reactions in Ni thin films on BP(100)

KOBAYASHI, N ; KUMASHIRO, Y ; REVESZ, P ; JIAN LI ; MAYER, J. W

Applied physics letters, 1989-05, Vol.54 (19), p.1914-1915 [Periódico revisado por pares]

Melville, NY: American Institute of Physics

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10
Improvement of crystalline quality of epitaxial Si layers by ion-implantation techniques
Improvement of crystalline quality of epitaxial Si layers by ion-implantation techniques
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Improvement of crystalline quality of epitaxial Si layers by ion-implantation techniques

Lau, S. S. ; Matteson, S. ; Mayer, J. W. ; Revesz, P. ; Gyulai, J. ; Roth, J. ; Sigmon, T. W. ; Cass, T.

Applied physics letters, 1979-01, Vol.34 (1), p.76-78 [Periódico revisado por pares]

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