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Refinado por: Nome da Publicação: Applied Physics Letters remover
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1
Influence of carbon on the enhanced oxygen loss in copper oxide films
Influence of carbon on the enhanced oxygen loss in copper oxide films
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Influence of carbon on the enhanced oxygen loss in copper oxide films

Li, Jian ; Vizkelethy, G. ; Revesz, P. ; Mayer, J. W. ; Matienzo, L. J. ; Emmi, F. ; Ortega, C. ; Siejka, J.

Applied physics letters, 1991-03, Vol.58 (12), p.1344-1346 [Periódico revisado por pares]

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2
EPITAXIAL REGROWTH OF SB IMPLANTED SI1-XGEX ALLOY LAYERS
EPITAXIAL REGROWTH OF SB IMPLANTED SI1-XGEX ALLOY LAYERS
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EPITAXIAL REGROWTH OF SB IMPLANTED SI1-XGEX ALLOY LAYERS

ATZMON, Z ; EIZENBERG, M ; REVESZ, P ; MAYER, JW ; HONG, SQ ; SCHAFFLER, F

Applied physics letters, 1992-05, Vol.60 (18), p.2243-2245 [Periódico revisado por pares]

WOODBURY: Amer Inst Physics

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3
Morphological degradation of TiSi2 on 〈100〉 silicon
Morphological degradation of TiSi2 on 〈100〉 silicon
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Morphological degradation of TiSi2 on 〈100〉 silicon

Revesz, P. ; Zheng, L. R. ; Hung, L. S. ; Mayer, J. W.

Applied physics letters, 1986-06, Vol.48 (23), p.1591-1593 [Periódico revisado por pares]

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4
Thermal and ion beam induced reactions in Ni thin films on BP(100)
Thermal and ion beam induced reactions in Ni thin films on BP(100)
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Thermal and ion beam induced reactions in Ni thin films on BP(100)

KOBAYASHI, N ; KUMASHIRO, Y ; REVESZ, P ; JIAN LI ; MAYER, J. W

Applied physics letters, 1989-05, Vol.54 (19), p.1914-1915 [Periódico revisado por pares]

Melville, NY: American Institute of Physics

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5
Improvement of crystalline quality of epitaxial Si layers by ion-implantation techniques
Improvement of crystalline quality of epitaxial Si layers by ion-implantation techniques
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Improvement of crystalline quality of epitaxial Si layers by ion-implantation techniques

Lau, S. S. ; Matteson, S. ; Mayer, J. W. ; Revesz, P. ; Gyulai, J. ; Roth, J. ; Sigmon, T. W. ; Cass, T.

Applied physics letters, 1979-01, Vol.34 (1), p.76-78 [Periódico revisado por pares]

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6
Interaction of TiSi2 layers with polycrystalline Si
Interaction of TiSi2 layers with polycrystalline Si
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Interaction of TiSi2 layers with polycrystalline Si

ZHENG, L. R ; HUNG, L. S ; FENG, S. Q ; REVESZ, P ; MAYER, J. W ; MILES, G

Applied physics letters, 1986-03, Vol.48 (12), p.767-769 [Periódico revisado por pares]

Melville, NY: American Institute of Physics

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7
Epitaxial regrowth of Sb implanted Si1− x Ge x alloy layers
Epitaxial regrowth of Sb implanted Si1− x Ge x alloy layers
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Epitaxial regrowth of Sb implanted Si1− x Ge x alloy layers

Atzmon, Z. ; Eizenberg, M. ; Revesz, P. ; Mayer, J. W. ; Hong, S. Q. ; Schäffler, F.

Applied physics letters, 1992-05, Vol.60 (18), p.2243-2245 [Periódico revisado por pares]

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8
Eptiaxial regrowth of Sb implanted Si1-xGex alloy layers
Eptiaxial regrowth of Sb implanted Si1-xGex alloy layers
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Eptiaxial regrowth of Sb implanted Si1-xGex alloy layers

ATZMON, Z ; EIZENBERG, M ; REVESZ, P ; MAYER, J. W ; HONG, S. Q ; SCHÄFFLER, F

Applied physics letters, 1992, Vol.60 (18), p.2243-2245 [Periódico revisado por pares]

Melville, NY: American Institute of Physics

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9
Morphological degradation of TiSi2 on silicon
Morphological degradation of TiSi2 on silicon
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Morphological degradation of TiSi2 on silicon

REVESZ, P ; ZHENG, L. R ; HUNG, L. S ; MAYER, J. W

Applied physics letters, 1986-06, Vol.48 (23), p.1591-1593 [Periódico revisado por pares]

Melville, NY: American Institute of Physics

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10
Epitaxial regrowth of evaporated amorphous silicon by a pulsed laser beam
Epitaxial regrowth of evaporated amorphous silicon by a pulsed laser beam
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Epitaxial regrowth of evaporated amorphous silicon by a pulsed laser beam

Révész, Péter ; Farkas, Gyözö ; Mezey, Gábor ; Gyulai, József

Applied physics letters, 1978-09, Vol.33 (5), p.431-433 [Periódico revisado por pares]

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  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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