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Refinado por: Nome da Publicação: Journal Of Applied Physics remover assunto: Physical Sciences remover
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Time-resolved x-ray excited optical luminescence in InGaN/GaN multiple quantum well structures
Time-resolved x-ray excited optical luminescence in InGaN/GaN multiple quantum well structures
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Time-resolved x-ray excited optical luminescence in InGaN/GaN multiple quantum well structures

O'Malley, S M ; Revesz, P ; Kazimirov, A ; Sirenko, A A

Journal of applied physics, 2011-06, Vol.109 (12), p.124906-124906-5 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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2
Lateral growth of titanium silicide over a silicon dioxide layer
Lateral growth of titanium silicide over a silicon dioxide layer
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Lateral growth of titanium silicide over a silicon dioxide layer

Révész, P. ; Gyimesi, J. ; Pogány, L. ; Petõ, G.

Journal of applied physics, 1983-01, Vol.54 (4), p.2114-2115 [Periódico revisado por pares]

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3
Oxidation and reduction of copper oxide thin films
Oxidation and reduction of copper oxide thin films
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Oxidation and reduction of copper oxide thin films

JIAN LI ; VIZKELETHY, G ; REVESZ, P ; MAYER, J. W ; TU, K. N

Journal of applied physics, 1991-01, Vol.69 (2), p.1020-1029 [Periódico revisado por pares]

Woodbury, NY: American Institute of Physics

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4
Epitaxial regrowth of Ar implanted amorphous Si by laser annealing
Epitaxial regrowth of Ar implanted amorphous Si by laser annealing
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Epitaxial regrowth of Ar implanted amorphous Si by laser annealing

Matteson, S. ; Révész, P. ; Farkas, Gy ; Gyulai, J. ; Sheng, T. T.

Journal of applied physics, , Vol.51 (5), p.2625-2629 [Periódico revisado por pares]

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5
Growth of titanium silicide on ion-implanted silicon
Growth of titanium silicide on ion-implanted silicon
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Growth of titanium silicide on ion-implanted silicon

Révész, P. ; Gyimesi, J. ; Zsoldos, É.

Journal of applied physics, 1983-01, Vol.54 (4), p.1860-1864 [Periódico revisado por pares]

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6
Epitaxial regrowth of Ar-implanted amorphous silicon
Epitaxial regrowth of Ar-implanted amorphous silicon
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Epitaxial regrowth of Ar-implanted amorphous silicon

Revesz, P ; Wittmer, M ; Roth, J ; Mayer, J W

Journal of applied physics, 1978-10, Vol.49 (10), p.5199-5206 [Periódico revisado por pares]

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