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Erratum: “Wurtzite BAlN and BGaN alloys for heterointerface polarization engineering” [Appl. Phys. Lett. 111, 222106 (2017)]
Erratum: “Wurtzite BAlN and BGaN alloys for heterointerface polarization engineering” [Appl. Phys. Lett. 111, 222106 (2017)]
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Erratum: “Wurtzite BAlN and BGaN alloys for heterointerface polarization engineering” [Appl. Phys. Lett. 111, 222106 (2017)]

Liu, Kaikai ; Sun, Haiding ; AlQatari, Feras ; Guo, Wenzhe ; Liu, Xinwei ; Li, Jingtao ; Torres Castanedo, Carlos G ; Li, Xiaohang

Applied physics letters, 2018-12, Vol.113 (23) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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2
Synthesis of Zn2NbN3ternary nitride semiconductor with wurtzite-derived crystal structure
Synthesis of Zn2NbN3ternary nitride semiconductor with wurtzite-derived crystal structure
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Synthesis of Zn2NbN3ternary nitride semiconductor with wurtzite-derived crystal structure

Zakutayev, Andriy

Journal of physics. Condensed matter, 2021-09, Vol.33 (35) [Periódico revisado por pares]

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3
Nonlayered CdSe Flakes Homojunctions
Nonlayered CdSe Flakes Homojunctions
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Nonlayered CdSe Flakes Homojunctions

Jin, Bao ; Liang, Fei ; Hu, Zhi‐Yi ; Wei, Ping ; Liu, Kailang ; Hu, Xiaozong ; Van Tendeloo, Gustaaf ; Lin, Zheshuai ; Li, Huiqiao ; Zhou, Xing ; Xiong, Qihua ; Zhai, Tianyou

Advanced functional materials, 2020-03, Vol.30 (11), p.n/a [Periódico revisado por pares]

Hoboken: Wiley Subscription Services, Inc

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4
Magnetic properties of wurtzite (Ga,Mn)As
Magnetic properties of wurtzite (Ga,Mn)As
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Magnetic properties of wurtzite (Ga,Mn)As

Gas, Katarzyna ; Sadowski, Janusz ; Sawicki, Maciej

Journal of magnetism and magnetic materials, 2021-09, Vol.533, p.168012, Article 168012 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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5
Big data of materials science: critical role of the descriptor
Big data of materials science: critical role of the descriptor
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Big data of materials science: critical role of the descriptor

Ghiringhelli, Luca M ; Vybiral, Jan ; Levchenko, Sergey V ; Draxl, Claudia ; Scheffler, Matthias

Physical review letters, 2015-03, Vol.114 (10), p.105503-105503, Article 105503 [Periódico revisado por pares]

United States

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6
Phase transformation and grain growth in spray deposited wurtzite CuInS2 films
Phase transformation and grain growth in spray deposited wurtzite CuInS2 films
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Phase transformation and grain growth in spray deposited wurtzite CuInS2 films

Pradeepkumar, Maurya Sandeep ; Basu, Joysurya ; Ahmad, Mohammed Imteyaz

Ceramics international, 2022-12, Vol.48 (23), p.35633-35641 [Periódico revisado por pares]

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Alloyed (ZnS) x (Cu 2 SnS 3 ) 1−x and (CuInS 2 ) x (Cu 2 SnS 3 ) 1−x nanocrystals with arbitrary composition and broad tunable band gaps
Alloyed (ZnS) x (Cu 2 SnS 3 ) 1−x and (CuInS 2 ) x (Cu 2 SnS 3 ) 1−x nanocrystals with arbitrary composition and broad tunable band gaps
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Alloyed (ZnS) x (Cu 2 SnS 3 ) 1−x and (CuInS 2 ) x (Cu 2 SnS 3 ) 1−x nanocrystals with arbitrary composition and broad tunable band gaps

Liu, Qinghui ; Zhao, Zechen ; Lin, Yuhan ; Guo, Peng ; Li, Shenjie ; Pan, Daocheng ; Ji, Xiangling

Chemical communications (Cambridge, England), 2011-01, Vol.47 (3), p.964-966 [Periódico revisado por pares]

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Stability, electronic and vibrational properties of GaAlN wurtzoid molecules and nanocrystals: A DFT study
Stability, electronic and vibrational properties of GaAlN wurtzoid molecules and nanocrystals: A DFT study
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Stability, electronic and vibrational properties of GaAlN wurtzoid molecules and nanocrystals: A DFT study

Abdulsattar, Mudar Ahmed ; Hussein, Mohammed T. ; Mahmood, Tasneem H.

Vacuum, 2018-07, Vol.153, p.17-23 [Periódico revisado por pares]

Elsevier Ltd

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A review of oriented wurtzite-structure aluminum nitride films
A review of oriented wurtzite-structure aluminum nitride films
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A review of oriented wurtzite-structure aluminum nitride films

Yang, Huiqian ; Sun, Jing ; Wang, Haijin ; Li, Hao ; Yang, Bin

Journal of alloys and compounds, 2024-06, Vol.989, Article 174330 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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Role of Defects in the Breakdown Phenomenon of Al1-xScxN: From Ferroelectric to Filamentary Resistive Switching
Role of Defects in the Breakdown Phenomenon of Al1-xScxN: From Ferroelectric to Filamentary Resistive Switching
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Role of Defects in the Breakdown Phenomenon of Al1-xScxN: From Ferroelectric to Filamentary Resistive Switching

Guido, Roberto ; Mikolajick, Thomas ; Schroeder, Uwe ; Lomenzo, Patrick D

Nano letters, 2023-08, Vol.23 (15), p.7213-7220 [Periódico revisado por pares]

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