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Synthesis of Gallium Nitride Nanorods Through a Carbon Nanotube-Confined Reaction
Synthesis of Gallium Nitride Nanorods Through a Carbon Nanotube-Confined Reaction
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Synthesis of Gallium Nitride Nanorods Through a Carbon Nanotube-Confined Reaction

Han, Weiqiang ; Fan, Shoushan ; Li, Qunqing ; Hu, Yongdan

Science (American Association for the Advancement of Science), 1997-08, Vol.277 (5330), p.1287-1289 [Periódico revisado por pares]

Washington, DC: American Society for the Advancement of Science

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2
Size Dependence of Structural Metastability in Semiconductor Nanocrystals
Size Dependence of Structural Metastability in Semiconductor Nanocrystals
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Size Dependence of Structural Metastability in Semiconductor Nanocrystals

Chen, Chia-Chun ; Herhold, A. B. ; Johnson, C. S. ; Alivisatos, A. P.

Science, 1997-04, Vol.276 (5311), p.398-401 [Periódico revisado por pares]

Washington, DC: American Society for the Advancement of Science

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3
A Benzene-Thermal Synthetic Route to Nanocrystalline GaN
A Benzene-Thermal Synthetic Route to Nanocrystalline GaN
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A Benzene-Thermal Synthetic Route to Nanocrystalline GaN

Xie, Yi ; Qian, Yitai ; Wang, Wenzhong ; Zhang, Shuyuan ; Zhang, Yuheng

Science (American Association for the Advancement of Science), 1996-06, Vol.272 (5270), p.1926-1927 [Periódico revisado por pares]

Washington, DC: American Society for the Advancement of Science

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4
Size Dependence of a First Order Solid-Solid Phase Transition: The Wurtzite to Rock Salt Transformation in CdSe Nanocrystals
Size Dependence of a First Order Solid-Solid Phase Transition: The Wurtzite to Rock Salt Transformation in CdSe Nanocrystals
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Size Dependence of a First Order Solid-Solid Phase Transition: The Wurtzite to Rock Salt Transformation in CdSe Nanocrystals

Tolbert, S. H. ; Alivisatos, A. P.

Science (American Association for the Advancement of Science), 1994-07, Vol.265 (5170), p.373-376 [Periódico revisado por pares]

Washington, DC: American Society for the Advancement of Science

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5
Comparison of wurtzite and zinc blende III–V nitrides field effect transistors: a 2D Monte Carlo device simulation
Comparison of wurtzite and zinc blende III–V nitrides field effect transistors: a 2D Monte Carlo device simulation
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Comparison of wurtzite and zinc blende III–V nitrides field effect transistors: a 2D Monte Carlo device simulation

Dessenne, F ; Cichocka, D ; Desplanques, P ; Fauquembergue, R

Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology, 1997-12, Vol.50 (1), p.315-318 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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6
Structural and optical studies on vacuum-evaporated ZnSe xCdS 1 − x alloy films
Structural and optical studies on vacuum-evaporated ZnSe xCdS 1 − x alloy films
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Structural and optical studies on vacuum-evaporated ZnSe xCdS 1 − x alloy films

Venugopal, R. ; Vijayalakshmi, R.P. ; Reddy, D.R. ; Reddy, B.K.

Journal of alloys and compounds, 1996, Vol.234 (1), p.48-51 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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7
Biaxial strain effect on wurtzite GaN/AlGaN quantum well lasers
Biaxial strain effect on wurtzite GaN/AlGaN quantum well lasers
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Biaxial strain effect on wurtzite GaN/AlGaN quantum well lasers

SUZUKI, M ; UENOYAMA, T

Japanese Journal of Applied Physics, 1996, Vol.35 (2B), p.1420-1423 [Periódico revisado por pares]

Tokyo: Japanese journal of applied physics

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8
Crystal structure change of GaAs and InAs whiskers from zinc-blende to wurtzite type
Crystal structure change of GaAs and InAs whiskers from zinc-blende to wurtzite type
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Crystal structure change of GaAs and InAs whiskers from zinc-blende to wurtzite type

KOGUCHI, M ; KAKIBAYASHI, H ; YAZAWA, M ; HIRUMA, K ; KATSUYAMA, T

JPN J APPL PHYS PART 1 REGUL PAP SHORT NOTE, 1992-07, Vol.31 (7), p.2061-2065 [Periódico revisado por pares]

Tokyo: Japanese journal of applied physics

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9
Reactive Molecular-Beam Epitaxy for Wurtzite GaN
Reactive Molecular-Beam Epitaxy for Wurtzite GaN
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Reactive Molecular-Beam Epitaxy for Wurtzite GaN

Mohammad, S.N. ; Kim, W. ; Salvador, A. ; Morkoç, H.

MRS bulletin, 1997-02, Vol.22 (2), p.22-28 [Periódico revisado por pares]

New York, USA: Cambridge University Press

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10
Substrate Nitridation Effects on GaN Grown on GaAs Substrates by Molecular Beam Epitaxy Using RF-Radical Nitrogen Source
Substrate Nitridation Effects on GaN Grown on GaAs Substrates by Molecular Beam Epitaxy Using RF-Radical Nitrogen Source
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Substrate Nitridation Effects on GaN Grown on GaAs Substrates by Molecular Beam Epitaxy Using RF-Radical Nitrogen Source

Kikuchi, Akihiko ; Hoshi, Hiroyuki ; Kishino, Katsumi

Japanese Journal of Applied Physics, 1994-01, Vol.33 (Part 1, No. 1B), p.688-693 [Periódico revisado por pares]

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