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Silicon carbide clusters in silicon formed by carbon ions implantation
Silicon carbide clusters in silicon formed by carbon ions implantation
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Silicon carbide clusters in silicon formed by carbon ions implantation

Neisy Amparo Escobar Forhan Inés Pereyra 1947-

Martino J.A. ; Pavanello, M.A. ; Morimoto, N.I. eds Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003 Pennington : Electrochemical Society, 2003

Pennington Electrochemical Society 2003

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2
Produção, caracterização morfológica e nitretação de nanotubos de TiO2.
Produção, caracterização morfológica e nitretação de nanotubos de TiO2.
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Ph.D. Dissertation 		Add to e-Shelf

Produção, caracterização morfológica e nitretação de nanotubos de TiO2.

Bonelli, Thiago Scremin

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2017-10-27

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3
Deposição e caracterização de filmes de titanato de estrôncio e bário (Ba0,5Sr0,5(TiO3)) visando a sua utilização na fabricação de defasadores variáveis operando em 60 GHZ.
Deposição e caracterização de filmes de titanato de estrôncio e bário (Ba0,5Sr0,5(TiO3)) visando a sua utilização na fabricação de defasadores variáveis operando em 60 GHZ.
Material Type:
Ph.D. Dissertation 		Add to e-Shelf

Deposição e caracterização de filmes de titanato de estrôncio e bário (Ba0,5Sr0,5(TiO3)) visando a sua utilização na fabricação de defasadores variáveis operando em 60 GHZ.

Pelegrini, Marcus Vinicius

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2016-05-16

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4
Síntese de nanotubos de carbono pela técnica de deposição química a vapor
Síntese de nanotubos de carbono pela técnica de deposição química a vapor
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Master's Thesis 		Add to e-Shelf

Síntese de nanotubos de carbono pela técnica de deposição química a vapor

Abê, Igor Yamamoto

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2014-07-31

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5
Estudo de materiais piezoelétricos da família III-V obtidos por sputtering reativo visando sua aplicação em sensores e MEMS.
Estudo de materiais piezoelétricos da família III-V obtidos por sputtering reativo visando sua aplicação em sensores e MEMS.
Material Type:
Master's Thesis 		Add to e-Shelf

Estudo de materiais piezoelétricos da família III-V obtidos por sputtering reativo visando sua aplicação em sensores e MEMS.

Pelegrini, Marcus Vinícius

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2010-08-18

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6
Estudo de camadas dielétricas para aplicação em capacitores MOS.
Estudo de camadas dielétricas para aplicação em capacitores MOS.
Material Type:
Ph.D. Dissertation 		Add to e-Shelf

Estudo de camadas dielétricas para aplicação em capacitores MOS.

Albertin, Kátia Franklin

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2007-10-04

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7
Ligas de silício amorfo hidrogenado obtenção, caracterização e aplicações
Ligas de silício amorfo hidrogenado obtenção, caracterização e aplicações
Material Type:
Thesis (Other) 		Add to e-Shelf

Ligas de silício amorfo hidrogenado obtenção, caracterização e aplicações

Inés Pereyra 1947-

1995

Available at EPBC - Esc. Politécnica-Bib Central    (FT-892 ) and other locations(GetIt)

8
Photocurrent oscillations in a-sic h double barrier devices exhibiting negative differential resistance
Photocurrent oscillations in a-sic h double barrier devices exhibiting negative differential resistance
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Book 		Add to e-Shelf

Photocurrent oscillations in a-sic h double barrier devices exhibiting negative differential resistance

Marcelo Nelson Páez Carreño 1962- Inés Pereyra 1947-

Ponce, F A; Cardona, M, Ed Berlin : Springer, 1991 Apresentado no latin american symposium on surface physics, 6, cusco, 1990 Surface Science

Berlin Springer 1991

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9
Estudo da morfologia e estrutura de filmes de oxinitreto de silício (SiOxNy) obtidos pela técnica de PECVD.
Estudo da morfologia e estrutura de filmes de oxinitreto de silício (SiOxNy) obtidos pela técnica de PECVD.
Material Type:
Ph.D. Dissertation 		Add to e-Shelf

Estudo da morfologia e estrutura de filmes de oxinitreto de silício (SiOxNy) obtidos pela técnica de PECVD.

Souza, Denise Criado Pereira De

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2007-07-31

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10
Estudo e fabricação de capacitores MOS com camada isolante de SiOxNy depositada por PECVD.
Estudo e fabricação de capacitores MOS com camada isolante de SiOxNy depositada por PECVD.
Material Type:
Master's Thesis 		Add to e-Shelf

Estudo e fabricação de capacitores MOS com camada isolante de SiOxNy depositada por PECVD.

Albertin, Katia Franklin

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2003-04-03

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