skip to main content

Properties of epitaxial (Al x Ga 1 − x As) 1 − y C y alloys grown by MOCVD autoepitaxy

Seredin, P. ; Domashevskaya, E. ; Arsentyev, I. ; Vinokurov, D. ; Stankevich, A.

Semiconductors, 2013, Vol.47(1), pp.7-12 [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

Ver todas as versões
Citações Citado por

Buscando em bases de dados remotas. Favor aguardar.