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Electron irradiation controlled profile of recombination center concentration in silicon.(Report)

Grekhov, I. V. ; Kostina, L. S. ; Kozlovskii, V. V. ; Lomasov, V. N. ; Rozhkov, A. V.

Technical Physics Letters, May, 2011, Vol.37(5), p.442(3) [Periódico revisado por pares]

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