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Theoretical investigation of trigate AlGaN/GaN HEMTs.(aluminum gallium nitrate)(high electron mobility transistors)(Technical report)

Alsharef, M. A. ; Granzner, R. ; Schwierz, F.

IEEE Transactions on Electron Devices, Oct, 2013, Vol.60(10), p.3335(7) [Periódico revisado por pares]

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