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A technique for rapidly alternating boron and arsenic doping in ion‐implanted silicon molecular beam epitaxy

Swartz, R. G. ; Mcfee, J. H. ; Voshchenkov, A. M. ; Finegan, S. N. ; Ota, Y.

Applied Physics Letters, 01 February 1982, Vol.40(3), pp.239-241 [Periódico revisado por pares]

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