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Quantification of metal oxide semiconductor field effect transistor device reliability with low- V t lanthanum-incorporated high permittivity dielectrics

O’sullivan, B. J. ; Aoulaiche, M. ; Cho, M. J. ; Kauerauf, T. ; Degraeve, R. ; Okawa, H. ; Schram, T. ; Hoffmann, T. Y. ; Groeseneken, G. ; Biesemans, S. ; Nakabayashi, T. ; Ikeda, A. ; Niwa, M.

Journal of Applied Physics, 01 December 2009, Vol.106(11) [Periódico revisado por pares]

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