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Usage of antimony segregation for selective doping of Si in molecular beam epitaxy

Yurasov, D. V. ; Drozdov, M. N. ; Murel, A. V. ; Shaleev, M. V. ; Zakharov, N. D. ; Novikov, A. V.

Journal of Applied Physics, 01 June 2011, Vol.109(11) [Periódico revisado por pares]

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