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Influence of the surface potential on electrical properties of Al x Ga 1 − x N / GaN heterostructures with different Al-content: Effect of growth method

Köhler, K. ; Müller, S. ; Aidam, R. ; Waltereit, P. ; Pletschen, W. ; Kirste, L. ; Menner, H. P. ; Bronner, W. ; Leuther, A. ; Quay, R. ; Mikulla, M. ; Ambacher, O. ; Granzner, R. ; Schwierz, F. ; Buchheim, C. ; Goldhahn, R.

Journal of Applied Physics, 01 March 2010, Vol.107(5) [Periódico revisado por pares]

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