skip to main content

Theoretical investigation of trigate AlGaN/GaN HEMTs.(aluminum gallium nitrate)(high electron mobility transistors)(Technical report)

Alsharef, M.A. ; Granzner, R. ; Schwierz, F.

IEEE Transactions on Electron Devices, 2013, Vol.60(10), p.3335(7) [Periódico revisado por pares]

Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc.

Texto completo disponível

Citações Citado por

Buscando em bases de dados remotas. Favor aguardar.