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Two-domain formation during the epitaxial growth of GaN (0001) on c-plane [Al.sub.2][O.sub.3] (0001) by high power impulse magnetron sputtering.(Report)

Junaid, M. ; Lundin, D. ; Palisaitis, J. ; Hsiao, C. - L. ; Darakchieva, V. ; Jensen, J. ; Persson, P. O. A. ; Sandstrom, P. ; Lai, W. - J. ; Chen, L. - C. ; Chen, K. - H. ; Helmersson, U. ; Hultman, L. ; Birch, J.

Journal of Applied Physics, Dec 15, 2011, Vol.110(12), p.123519-1-123519-9 [Periódico revisado por pares]

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