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Stress releasing mechanisms in In 0.2 Ga 0.8 As layers grown on misoriented GaAs [001] substrate

Werner, P. ; Zakharov, N. D. ; Chen, Y. ; Liliental‐Weber, Z. ; Washburn, J. ; Klem, J. F. ; Tsao, J. Y.

Applied Physics Letters, 31 May 1993, Vol.62(22), pp.2798-2800 [Periódico revisado por pares]

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