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Influência das tensões mecânicas biaxiais na fotocorrente de heterojunções de Ge-Si
Alaide Pellegrini Mammana Richard Louis Anderson
1972
Localização:
EPBC - Esc. Politécnica-Bib Central
(FT-15 )
(Acessar)
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Título:
Influência das tensões mecânicas biaxiais na fotocorrente de heterojunções de Ge-Si
Autor:
Alaide Pellegrini Mammana
Richard Louis Anderson
Assuntos:
ENGENHARIA ELÉTRICA
Notas:
Tese (Doutorado)
Descrição:
Heterojunções de nGe-pSi obtidas por deposição epitaxial de uma fina camada de Ge sobre um substrato de Si, pelo método de redução de GeCl4 , permitiram-nos investigar o diagrama de bandas de enrgia nas camadas de Si da interface, ao se fazer incidir luz manocromática perpendicularmente à face do Ge. Detectamos picos peculiares de fotocorrente, de energia da ordem de 0,07 eV acima dos picos usuais de transição indireta a do Si. Eles correspondem à excitação de elétrons nas camadas do cristal sujeitas a tensões mecânicas biaxiais, criadas durante o processo do resfriamento sofrido após o crescimento. Foi proposto um modelo simples, que nos permitiu avaliar as tensões mecânicas como sendo da ordem de 1010 dinas/cm2. Mediram-se também as correntes direta e inversa como função da tensão tendo a temperatura como parâmetro. No sentido direto, na região de baixas e médias tensões, a corrente depende da tensão de acordo com uma lei do tipo (B exp (AV), sendo A idependente da temperatura. Os resultados sugerem que a condução de corrente se processa por tunelamento e recombinações em várias etapas através de estados distribuídos na banda proibida. Para tensões mais altas o tunelamento se dá também em várias etapas, mas através do pico da banda de valência. A corrente inversa obedece a uma lei do tipo exp (C(VD-V)-1/2) e varia linearmente com a temperatura. O processo de condução é essencialmente o mesmo que para a corrente direta, sendo a dependência com a temperatura explicada pela variação da banda proibida.
Data de criação/publicação:
1972
Formato:
1 v.
Idioma:
Português
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