AlGaAs/GaAs diode lasers (1020–1100 nm) with an asymmetric broadened single transverse mode waveguide

Slipchenko, S. O. ; Podoskin, A. A. ; Vinokurov, D. A. ; Bondarev, A. D. ; Kapitonov, V. A. ; Pikhtin, N. A. ; Kop’ev, P. S. ; Tarasov, I. S.

Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2013-08, Vol.47 (8), p.1079-1083 [Periódico revisado por pares]

Boston: Springer US

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