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Estudos das propriedades elétricas de diodos poliméricos com eletrodo injetor à base de óxido de zinco

Queiroz, Edivaldo Leal

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Instituto de Física de São Carlos 2009-01-15

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

  • Título:
    Estudos das propriedades elétricas de diodos poliméricos com eletrodo injetor à base de óxido de zinco
  • Autor: Queiroz, Edivaldo Leal
  • Orientador: Faria, Roberto Mendonça
  • Assuntos: Impedanciometria; Injeção De Carga; Izo; Oleds; Charge Injection; Impedanciometry
  • Notas: Tese (Doutorado)
  • Descrição: A presente tese de doutorado apresenta um estudo comparativo das características elétricas de dispositivos emissores de luz poliméricos (PLEDs) confeccionados com óxido de índio dopado com zinco (IZO) como eletrodo transparente alternativamente ao ITO comumente usado em dispositivos poliméricos. As propriedades elétricas de filmes de IZO depositados a frio foram obtidas através da técnica de impedanciometria. Descrevemos detalhadamente todo o processo de fabricação dos dispositivos, com os respectivos eletrodos, em estrutura simples ou contendo uma camada adicional de PEDOT. Dois polímeros luminescentes foram utilizados como camada ativa em nossos dispositivos: MEH-PPV e uma blenda de derivados de Polifluoreno. Nossos resultados mostram que o IZO apresenta todas as características para substituir o ITO enquanto anodo transparente em dispositivos optoeletrônicos poliméricos. Realizamos estudos detalhados das propriedades elétricas de dispositivos fabricados com MEH-PPV e com blendas de derivados de polifluorenos, com ITO ou com IZO e com ou sem camada intermediária de PEDOT, e para isso usamos as técnicas de medida estacionária (J-V) e alternada (impedanciometria). Os resultados foram analisados à luz dos modelos de injeção de Arkhipov, para resposta estacionária, e de circuitos equivalentes e de Dyre para espectroscopia em freqüência. Ao modelo de Arkhipov, adicionamos um termo de corrente de tunelamento que melhorou o ajuste para região de campos altos. Dos ajustes teórico-experimentais obtivemos importantes parâmetros dos dispositivos.
  • DOI: 10.11606/T.76.2009.tde-17022009-153342
  • Editor: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Instituto de Física de São Carlos
  • Data de criação/publicação: 2009-01-15
  • Formato: Adobe PDF
  • Idioma: Português
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