skip to main content
Idioma:
Primo Search
Clear Search Box
Search in: Busca Geral
Busca Avançada
Busca por Índices

Comparison of different approaches to the study of local defects in crystals. I. Theoretical considerations and computational schemes

Pisani, C. ; Dovesi, R. ; Ugliengo, P.

physica status solidi (b), 1983-03, Vol.116 (1), p.249-259 [Periódico revisado por pares]

Berlin: WILEY-VCH Verlag

Sem texto completo

Citações Citado por
  • Título:
    Comparison of different approaches to the study of local defects in crystals. I. Theoretical considerations and computational schemes
  • Autor: Pisani, C. ; Dovesi, R. ; Ugliengo, P.
  • É parte de: physica status solidi (b), 1983-03, Vol.116 (1), p.249-259
  • Notas: ArticleID:PSSB2221160129
    ark:/67375/WNG-NZGP7QPV-D
    istex:FB39D2104CC3C32C3A62B00CE6159B5A9F20E251
    Via P. Giuria 5, I‐10 125 Turin, Italy.
  • Descrição: The standard way of treating local defects in crystals is to correct the Green function of the perfect periodic host system so as to account for the defect. This approach, which is termed here as “perturbed crystal”, is compared with a “perturbed cluster” approach where instead the molecular solution for a cluster of atoms around and including the defect is corrected in order to account for the presence of the infinite surrounding medium. It is first shown that when a unique basis set is used to describe the crystal both, before and after the defect is created, the perturbed crystal approach is essentially simpler. When however the defect is complicated and the use of different basis sets is practically compulsory, then the other approach is more natural and the corresponding computational scheme is more easily implementable. New explicit formulae for the perturbed cluster approach are derived which are more powerful and general than those used in previous works. Die Standardmethode zur Behandlung von lokalen Defekten in Kristallen besteht in der Korrektur der Greenschen Funktion des perfekten periodischen Wirtssystems bezüglich des Defekts. Dieses Verfahren, das hier „gestörter Kristall”︁ genannt wird, wird mit einem „gestörten Cluster”︁‐ Verfahren verglichen, bei dem statt dessen die Moleküllösung für ein Cluster von Atomen um den Defekt und diesen einschließend korrigiert wird, um das umgebende Medium zu berücksichtigen. Es wird erstmals gezeigt, daß, wenn ein einheitlicher Satz von Basisfunktionen zur Beschreibung des Kristalls vor und nach Defektbildung benutzt wird, das Verfahren des gestörtèn Kristalls wesentlich einfacher ist. Wenn jedoch der Defekt kompliziert ist und die Benutzung von unterschiedlichen Sätzen von Basisfunktionen praktisch zwingend wird, ist das andere Verfahren natürlicher und das entsprechende Berechnungsverfahren einfacher zu handhaben. Neue explizite Formeln für das Verfahren des gestörten Clusters werden abgeleitet, die leistungsfähiger und allgemeiner als die in früheren Veröffentlichungen benutzten sind.
  • Editor: Berlin: WILEY-VCH Verlag
  • Idioma: Inglês
Voltar para lista de resultados

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

Buscando em bases de dados remotas. Favor aguardar.