β -rays induced displacement damage on epitaxial 4H-SiC revealed by exciton recombination
Migliore, F. ; Alessi, A. ; Principato, F. ; Girard, S. ; Cannas, M. ; Gelardi, F. ; Lombardo, A. ; Vecchio, D. ; Brischetto, A. ; Agnello, S.
Applied physics letters, 2024-01, Vol.124 (4) [Periódico revisado por pares]American Institute of Physics
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