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Estados superficiais em sistemas quase-bidimensionais

Farias, Gil De Aquino

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Instituto de Física e Química de São Carlos 1980-03-28

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

  • Título:
    Estados superficiais em sistemas quase-bidimensionais
  • Autor: Farias, Gil De Aquino
  • Orientador: Hipolito, Oscar
  • Assuntos: Não Disponível; Not Available
  • Notas: Tese (Doutorado)
  • Descrição: Neste trabalho estudamos o efeito da rugosidade da interface isolante-semicondutor, sobre a energia do estado fundamental do elétron ligado a uma impureza ionizada, situada próxima desta interface, para um sistema MOSFET de SiO2-Si [001]. Para impurezas doadoras situadas no Si, a energia de ligação e obtida através do método variacional, e os resultados são comparados com os de N.O.Lipari. Com impurezas situadas no oxido, a energia de ligação também e calculada de modo variacional, e a blindagem dos elétrons e levada em conta numa teoria de resposta linear. Os resultados obtidos são compatíveis com os experimentais, e indicam que o efeito da rugosidade e importante na blindagem dos elétrons. Calculamos também a energia de separação entre subbandas elétricas de uma camada de inversão de Si tipo n. Para isto, consideramos um potencial \"nearly self-consistent\" e o efeito da rugosidade e incorporado ao Hamiltoniano do sistema através do potencial imagem e da mudança da barreira de potencial na interface. Os resultados mostram uma mudança significativa na energia de separação entre as sub-bandas, e indicam que a rugosidade da interface isolante-semicondutor não pode ser desprezada, num calculo onde os efeitos de troca e correlação são levados em conta. Considerando elétrons sobre uma superfície de um filme de hélio líquido, calculamos a massa efetiva e a energia de formação do anion superficial. Para este cálculo usamos o me todo variacional de Feynman. Com isto, os resultados são válidos para qualquer campo elétrico aplicado. Tais resultados, quando comparados com os de outras teorias do anion superficial, permitem-nos inferir os intervalos de campo elétrico em que as mesmas são validas
  • DOI: 10.11606/T.54.1980.tde-04032015-210004
  • Editor: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Instituto de Física e Química de São Carlos
  • Data de criação/publicação: 1980-03-28
  • Formato: Adobe PDF
  • Idioma: Português
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