Radiation-induced defects in SiC-MESFETs after 2-MeV electron irradiation

Ohyama, H. ; Takakura, K. ; Uemura, K. ; Shigaki, K. ; Kudou, T. ; Arai, M. ; Kuboyama, S. ; Matsuda, S. ; Kamezawa, C. ; Simoen, E. ; Claeys, C.

Physica. B, Condensed matter, 2006-04, Vol.376, p.382-384 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

Texto completo disponível