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Characteristics and operation of MOS field-effect devices
Paul Richman
New York McGraw-Hill 1967
Localização:
EPBC - Esc. Politécnica-Bib Central
(621.382.323 R412c )
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(Acessar)
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Título:
Characteristics and operation of MOS field-effect devices
Autor:
Paul Richman
Assuntos:
Field-effect transistors
;
Metal oxide semiconductors
;
TRANSISTORES
;
SEMICONDUTORES
Notas:
Includes bibliographies
Editor:
New York McGraw-Hill
Data de criação/publicação:
1967
Formato:
x, 150 p illus 23 cm.
Idioma:
Inglês
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