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Idioma:

Caracterizacao em ruido de transistores mesfet e hemt na faixa de microondas

Fernando Colombani Edmar Camargo

1993

Localização: EPBC - Esc. Politécnica-Bib Central    (FD-1488 ) e outros locais(Acessar)

  • Título:
    Caracterizacao em ruido de transistores mesfet e hemt na faixa de microondas
  • Autor: Fernando Colombani
  • Edmar Camargo
  • Assuntos: ENGENHARIA ELÉTRICA
  • Notas: Dissertação (Mestrado)
  • Descrição: O tema desta dissertacao de mestrado e o desenvolvimento de um metodo para caracterizar, em ruido, transistores a efeito de campo de barreira schottky (mesfet'S) E DE ALTA MOBILIDADE DE ELETRONS (HEMT's) em frequencias entre 0, 5 e 20 ghz. E feito um estudo dos principais tipos de ruido que influenciam estes dispositivos na faixa de frequencia citada, dando-se enfase ao ruido do tipo termico. E revisto o conceito de figura de ruido, juntamente com os principais fatores que influenciam este parametro em transistores a efeito de campo. E apresentada a metodologia empregada neste trabalho para representar transistores, mediante discussoes entre modelamento fisico e experimental. E descrito o processo de modelamento do transistor em pequenos sinais, incluindo sua capsula, o transistor intrinsico e os elementos parasitas. Apresenta-se uma metodologia original para a determinacao do modelo em ruido, incluindo a determinacao do melhor ponto de polarizacao. Os resultados do modelamento sao comparados com medidas feitas com dois transistores comerciais, sendo um do tipo mesfet (s8818a da toshiba) e um do tipo hemt (2sk677 da sony). O modelo obtido e aplicado ao projeto de um amplificador de baixo ruido em 18 ghz. Os resultados praticos sao comparados com os previstos teoricamente, obtendo-se boa concordancia entre eles.
  • Data de criação/publicação: 1993
  • Formato: 90p apendice.
  • Idioma: Português
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