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ESTRUTURA ELETRONICA DE IMPUREZAS RELACIONADAS COM COBRE EM GERMANIO

Muñoz, Walter Manuel Orellana

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Instituto de Física 1992-10-07

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

  • Título:
    ESTRUTURA ELETRONICA DE IMPUREZAS RELACIONADAS COM COBRE EM GERMANIO
  • Autor: Muñoz, Walter Manuel Orellana
  • Orientador: Assali, Lucy Vitoria Credidio
  • Assuntos: Física Da Matéria Condensada; Semicondutores; Condensed Matter Physics; Semiconductors
  • Notas: Dissertação (Mestrado)
  • Descrição: Neste trabalho apresentamos estudos sobre a estrutura eletronica de impurezas isoladas e complexas em germanio as quais sao responsaveis pela introducao de niveis de energia profundos na banda proibida do semicondutor. O modelo utilizado e o do aglomerado molecular, dentro do formalismo autoconsistente do metodo do espalhamento multiplo-\'X IND.ALFA\' com o tratamento dos orbitais de superficie atraves da esfera de watson. Efeitos de polarizacao de spin e de relaxacao eletronica sao incluidos. Aplicamos o metodo para analisar impurezas isoladas de cobre substitucional (\'GE:\'cu ind.S\'); COBRE INTERSTICIAL (\'ge\':\'cu ind.I\') E DE LITIO INTERSTICIAL (\'ge\':\'li ind.I\') E AS IMPUREZAS COMPLEXAS DE COBRE SUBSTITUCIONAL - COBRE INTERSTICIAL (\'ge\':\'cu ind.I\'\'cu ind.S\') E COBRE SUBSTITUCIONAL - LITIO (\'ge\':\'li ind.I\'\'cu ind.S\'). Nossos resultados sao comparados com dados experimentais existentes na literatura
  • DOI: 10.11606/D.43.2017.tde-15032017-135018
  • Editor: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Instituto de Física
  • Data de criação/publicação: 1992-10-07
  • Formato: Adobe PDF
  • Idioma: Português
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