Confecção e caracterização de um transistor de efeito de campo baseado numa heteroestrutura semicondutora do tipo HEMT obtida a partir de um substrato de GaAs orientado no plano (511)
Rodrigo Marques de Oliveira Euclydes Marega Júnior; Workshop dos Alunos de Pós-Graduação do IFSC (6. 2002 São Carlos)
Resumos São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - USP, 2002São Carlos Instituto de Física de São Carlos - USP 2002
Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos (PROD008474 ) e outros locais(Acessar)