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Confecção e caracterização de um transistor de efeito de campo baseado numa heteroestrutura semicondutora do tipo HEMT obtida a partir de um substrato de GaAs orientado no plano (511)

Rodrigo Marques de Oliveira Euclydes Marega Júnior; Workshop dos Alunos de Pós-Graduação do IFSC (6. 2002 São Carlos)

Resumos São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - USP, 2002

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