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0.12-μm gate III-V nitride HFET's with high contact resistances

Burm, J. ; Chu, K. ; Schaff, W.J. ; Eastman, L.F. ; Khan, M.A. ; Qisheng Chen ; Yang, J.W. ; Shur, M.S.

IEEE electron device letters, 1997-04, Vol.18 (4), p.141-143 [Periódico revisado por pares]

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Título:
0.12-μm gate III-V nitride HFET's with high contact resistances
Autor: Burm, J. ; Chu, K. ; Schaff, W.J. ; Eastman, L.F. ; Khan, M.A. ; Qisheng Chen ; Yang, J.W. ; Shur, M.S.
Assuntos: Annealing ; Contact resistance ; Electrical resistance measurement ; Gallium nitride ; Gold ; HEMTs ; III-V semiconductor materials ; MODFETs ; Monitoring ; Ohmic contacts
É parte de: IEEE electron device letters, 1997-04, Vol.18 (4), p.141-143
Notas: ObjectType-Article-2
SourceType-Scholarly Journals-1
ObjectType-Feature-1
content type line 23
Descrição: HFET's with 0.12-μm gate length were fabricated on a III-V nitride wafer. The contact resistance from unannealed Ti/Au ohmic contact was 10 /spl Omega//spl middot/mm. Even with this relatively high contact resistance, f T of 46.9 GHz and f max of 103 GHz were measured with the Ti/Au contacts, the highest yet achieved on III-V nitride FETs. The improvement in the frequency response was mainly due to the decrease in the gate length (0.12 μm). In addition, the effects of high contact resistances at high frequency are discussed.
Editor: IEEE
Idioma: Inglês

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