Análise in situ de semicondutores III-V durante o crescimento a partir de epitaxia por feixe molecular (MBE)

A. C. Notari Máximo Siu Li; P Basmaji; M Minondo; Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência - CBRAVIC (11. 1990 São Paulo)

Anais São Paulo, 1990

São Paulo 1990

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD001536 )(Acessar)