skip to main content

Sair
Identificação

Idioma:

0.1 μm InGaAs/InAlAs/InP HEMT MMICs: a flight qualified technology

CHOU, Y. C ; LEUNG, D ; LAI, R ; GRUNDBACHER, R ; BARSKY, M ; KAN, Q ; TSAI, R

Technical digest - IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium, 2002, p.77-80

Piscataway NJ: IEEE

Texto completo disponível

Citações Citado por

Enviar para

Título:
0.1 μm InGaAs/InAlAs/InP HEMT MMICs: a flight qualified technology
Autor: CHOU, Y. C ; LEUNG, D ; LAI, R ; GRUNDBACHER, R ; BARSKY, M ; KAN, Q ; TSAI, R
Assuntos: Applied sciences ; Circuit properties ; Design. Technologies. Operation analysis. Testing ; Electric, optical and optoelectronic circuits ; Electronics ; Exact sciences and technology ; Integrated circuits ; Microwave circuits, microwave integrated circuits, microwave transmission lines, submillimeter wave circuits ; Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices ; Transistors
É parte de: Technical digest - IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium, 2002, p.77-80
Editor: Piscataway NJ: IEEE
Idioma: Inglês

Links

View record in Pascal Francis

Voltar para lista de resultados

Realização: Logos de Redes Sociais:

Buscando em bases de dados remotas. Favor aguardar.

Buscando por
emscope:(USP_VIDEOS),scope:("PRIMO"),scope:(USP_FISICO),scope:(USP_EREVISTAS),scope:(USP),scope:(USP_EBOOKS),scope:(USP_PRODUCAO),primo_central_multiple_fe
Mostrar o que foi encontrado até o momento