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Experimental analysis of trade-off between transistor efficiency and unit gain frequency of nanosheet NMOSFET down to -100°C

Vanessa Cristina Pereira da Silva João Vitor da Costa Leal; Welder F Perina; João Antonio Martino 1959-; Eddy Simoen; A Veloso; Paula Ghedini Der Agopian

Journal of Integrated Circuits and Systems Porto Alegre v.17, n. 1, p.1-6, 2022

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Título:
Experimental analysis of trade-off between transistor efficiency and unit gain frequency of nanosheet NMOSFET down to -100°C
Autor: Vanessa Cristina Pereira da Silva
João Vitor da Costa Leal; Welder F Perina; João Antonio Martino 1959-; Eddy Simoen; A Veloso; Paula Ghedini Der Agopian
Assuntos: TRANSISTORES; NANOTECNOLOGIA; BAIXA TEMPERATURA
É parte de: Journal of Integrated Circuits and Systems Porto Alegre v.17, n. 1, p.1-6, 2022
Notas: Disponível em: Acesso em: 9 out. 2023
Editor: Porto Alegre
Data de criação/publicação: 2022
Formato: p. 1-6.
Idioma: Inglês

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