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Crescimento Epitaxial por Feixe Molecular de Camadas para Aplicação em Dispositivos

Sperandio, Alexander Luz

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

Título:
Crescimento Epitaxial por Feixe Molecular de Camadas para Aplicação em Dispositivos
Autor: Sperandio, Alexander Luz
Orientador: Quivy, Alain Andre
Assuntos: Epitaxia Por Feixe Molecular; Matéria Condensada; Condensed Matter; Epitaxial Growth
Notas: Dissertação (Mestrado)
Descrição: Neste trabalho, estudamos o crescimento de camadas semicondutoras de compostos III-V pela técnica de epitaxia por feixe molecular (MBE). Um grande esforço foi inicialmente realizado para entender o funcionamento do sistema inteiro e otimizar o uso de cada instrumento disponível para a caracterização in situ. Demos uma ênfase particular ao estudo da dopagem homogênea de camadas do tipo p usando duas novas técnicas e, pela primeira vez, obtivemos com sucesso camadas do tipo p crescidas pela co-evaporação de átomos de Si sobre susbtratos de GaAs (001). Finalmente, camadas de alta mobilidade eletrônica foram conseguidas, assim como espelhos de Bragg (DBRs) de alta refletividade. Estes dois tipos de estrutura possuem numerosas aplicações na indústria de microeletrônica e optoeletrônica
DOI: 10.11606/D.43.2017.tde-18012017-101504
Editor: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Instituto de Física
Data de criação/publicação: 1998-04-16
Formato: Adobe PDF
Idioma: Português

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