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(0 0 0 1) oriented GaN epilayer grown on [formula omitted] sapphire by MOCVD

Bai, J. ; Wang, T. ; Li, H.D. ; Jiang, N. ; Sakai, S.

Journal of crystal growth, 2001-09, Vol.231 (1), p.41-47 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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