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Correlação eletrônica em semicondutores III-V dopados com metais de transição
Makiuchi, Nilo
Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Instituto de Física 1990-03-28
Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.
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Título:
Correlação eletrônica em semicondutores III-V dopados com metais de transição
Autor:
Makiuchi, Nilo
Orientador:
Fazzio, Adalberto
Assuntos:
Semicondutores
;
Semiconductors
Notas:
Tese (Doutorado)
Descrição:
Realizamos um estudo sistematico de impurezas de metal de transicao das series 3d, 4d e 5d em semicondutores iii-v atraves do modelo de aglomerados moleculares utilizando duas tecnicas de campo medio diferentes: espalhamento multiplo-xALFA e a aproximacao semiempirica indo. Efeito de muitos-eletrons foram introduzidos para a descricao do espectro de excitacao atraves de correlacoes de multipletos e interacao de configuracoes. Apresentamos um estudo comparativo entre os espectros obtidos a partir do calculo de interacao de configuracoes e o espectro experimental, onde observamos uma melhor concordancia entre o espectro experimental e os resultados obtidos a partir de bases mais completas. Observamos tambem, uma melhor concordancia entre o espectro experimental e os nossos resultados quando os orbitais com maior carater d apresentam-se fortemente localizados. Nossos resultados para a correcao de multipletos comparados com nossos resultados do calculo de interacao de configuracao nos mostra uma boa concordancia, quando o calculo de interacao de configuracoes e realizado apenas com os orbitais e e T IND.2 com forte carater d. No estudo envolvendo relaxacoes e distorcoes no sistema GAAS:V POT.2+, observamos um favorecimento ao estado fundamental de alto-spin, ANTPOT.4 T IND.1.
DOI:
10.11606/T.43.1990.tde-05122013-171344
Editor:
Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Instituto de Física
Data de criação/publicação:
1990-03-28
Formato:
Adobe PDF
Idioma:
Português
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